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株式会社ノベルクリスタルテクノロジーは、次世代パワーデバイス用半導体として世界的に注目されるβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）に特化したリーディングカンパニーです。同社は、酸化ガリウムの単結晶基板、エピタキシャルウエハの開発、製造、販売、さらにはパワーデバイスの開発までを一貫して手掛けています。特に、GaNやSiCといった既存のワイドバンドギャップ半導体材料を凌駕する高耐圧・低損失・小型化の可能性を秘めた酸化ガリウムのポテンシャルを最大限に引き出すため、基板製造、薄膜成長、パワーデバイス作製において世界トップレベルの技術を保有しています。 同社の事業は、タムラ製作所、情報通信研究機構（NICT）、東京農工大学を中心とする研究チームの長年の開発成果を基盤としており、その強固な技術的背景が競争力の源泉となっています。製品ラインナップとしては、HVPEエピウエハ（2インチ/100mm (001)や(011)面方位）、MBEエピウエハ（(010)面方位）、そして多様なサイズのβ-Ga2O3基板（2インチ/100mm (001)、150mm (001)、(010)、(100)、(011)面方位）を提供しており、特に新規面方位ウエハの展開にも注力し、アカデミアおよび産業界の広範な研究開発を支援しています。 同社は、パワーデバイスの本格量産に不可欠な150 mm（6インチ）酸化ガリウム基板のサンプル出荷を2026年3月より開始し、2029年の量産開始を目指すという明確なロードマップを掲げています。この目標達成のため、実績ある結晶育成技術「EFG法」による高品質な大口径基板の安定供給に加え、将来的には貴金属製るつぼを使用しない革新的な「DG法」を導入することで、SiCを超える圧倒的な低コスト化を実現し、酸化ガリウムパワーデバイスの普及を決定づけるビジネスモデルを構築しています。これにより、鉄道、産業機器、電力系統、AIデータセンターなど、高効率・大電力なパワーデバイスが求められる幅広い分野の顧客に対し、装置の小型化と高効率化に貢献することを目指しています。同社は、酸化ガリウムトランジスタの世界最高性能更新や、国内初の酸化ガリウムショットキーバリアダイオード搭載力率改善回路の実機動作確認成功など、数々の画期的な研究開発成果と実績を誇り、この分野におけるリーディングカンパニーとしての地位を確立しています。