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Patentix株式会社は、立命館大学発のディープテックベンチャーとして、新規次世代パワー半導体であるr-GeO₂（ルチル型二酸化ゲルマニウム）のエピウエハの研究開発、製造、および販売を主要事業としています。同社は、超ワイドバンドギャップ半導体であるr-GeO₂の優れた特性を活かし、世界のエネルギー問題解決に貢献することを目指しています。r-GeO₂半導体は、高い絶縁破壊電界により高耐圧・低損失を実現し、電力変換時のエネルギー損失を大幅に削減することで、システムの高効率化と発熱抑制に寄与します。また、低損失特性はデバイスの小型・軽量化を可能にし、最終製品の省スペース化と設計自由度の向上を促します。製造プロセスにおいても、SiCの昇華法と比較して1000℃以下の成膜温度で製造可能であり、高価な真空環境が不要なため、環境負荷が少なく製造コストの低減に繋がるという強みがあります。さらに、SiCより柔らかく、酸化ガリウムのような劈開性がないため加工が容易で、デバイス製造の歩留まり向上とコスト削減に大きく貢献します。 同社は、安価なSi基板上にr-GeO₂結晶を成長させた「GeO₂ on Si基板」、高い熱伝導率を持つSiC基板上の「GeO₂ on SiC基板」、そしてTiO₂基板上の「GeO₂ on TiO₂基板」といった有償サンプルを提供しており、6インチGeO₂ on Si基板の開発も進めています。これらの製品は、パワーMOSFETやSBDなどのパワー半導体デバイスへの応用を目指し、エアコン・テレビなどの民生機器、車載、産業機器といった幅広い分野での利用が期待されています。 同社の技術的実績としては、「世界初」となるルチル型二酸化ゲルマニウム結晶によるショットキーバリアダイオード動作の確認、N型導電性の確認、ファントム局所的気相成長法（Phantom SVD）による4インチウエハ上および炭化ケイ素へのルチル構造二酸化ゲルマニウム製膜の成功など、数々の画期的な成果を上げています。また、イオン注入によるn型導電性の付与や、p型導電の可能性も示唆されており、超ワイドバンドギャップ半導体では困難とされるp型n型の両伝導を実現可能な材料として注目されています。同社はオープンイノベーション戦略を掲げ、知的財産権の取得に注力しつつ、企業連携を通じて技術の社会実装を加速させています。2025年にはシリーズAで約7億1,900万円の資金調達を完了し、事業拡大を加速させています。