製造業（半導体・電子部品）法人向け（製造業・エネルギー・環境）
- 法人番号
- 9130001065847
- 所在地
- 京都府 京都市西京区 御陵大原１－３９京大桂ベンチャープラザ南館２２０３号室
- 設立
- 従業員
- 12名
- 企業スコア
- 40.2 / 100.0
代表取締役
JimmyWu（呉文景）
確認日: 2026年4月1日
Anjet Research Lab株式会社は、地球温暖化に伴うCO2排出削減と省エネルギーという社会的な重要課題に対し、電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発を通じて貢献することを使命としています。同社は、Si、SiC、GaNなどの最先端パワーデバイス開発を手掛けるファブレスの設計会社であり、高性能なエコデバイスの実現を目指しています。主要製品として、SiC SBD（650V～1700V、4A～60A）とSiC DMOS（650V～1700V、800mΩ～10mΩ）を提供しています。SiC SBDは、クラス最高の低VF（1.35V）、高いサージ耐性、温度に依存しないスイッチング特性、低コスト、高信頼性を特徴とし、先進的なジャンクションバリアショットキー構造、先進的な終端構造、薄型ウェハー技術を採用しています。一方、SiC DMOSは、クラス最高の低Rsp（約3.3mΩ･cm²）、十分なブレークダウン電圧、低Cgd、低コスト、高信頼性を実現し、先進的なDMOS自己整合構造、先進的な終端構造、薄型ウェハー技術を強みとしています。同社のビジネスモデルは、日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアとの緊密な連携に基づいています。特に台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携し、高性能・高信頼性パワーデバイスの迅速な市場投入を図っています。チームは、Texas Instruments、ON Semiconductor、Hitachi、Mitsubishi Elec.、Renesas、Panasonic、ROHMなどの大手半導体メーカーで20～30年の経験を持つエキスパートで構成されており、その豊富な経験と技術力が同社の強みです。自動車、鉄道、スマートグリッドを中心とした新ネットワークインフラなどの分野でエネルギーの有効活用が不可欠となる中、同社はこれらのアプリケーションに最適な各種パワーデバイスの設計を通じて、この分野のリーディングカンパニーとなることを目指しています。
従業員数（被保険者）
12人 · 2026年5月
30期分（2023/12〜2026/05）
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