IT・ソフトウェア（パッケージソフトウェア）法人向け（製造業・エネルギー・環境・教育・研修）行政向け
- 法人番号
- 3010401103637
- 所在地
- 神奈川県 横浜市保土ケ谷区 神戸町１３４番地横浜ビジネスパークイーストタワー１５階
- 設立
- 従業員
- 5名
- 決算月
- 12月
- 企業スコア
- 51.9 / 100.0
代表取締役
北林佳紀
確認日: 2025年12月31日
STR Japan株式会社は、半導体製造技術における結晶成長や半導体デバイスの研究開発を支援するシミュレーションソフトウェア、受託解析、コンサルティングを提供する企業です。グローバル企業であるSTRグループの日本現地法人として、40年以上にわたる豊富な経験と実績に基づき、バルク結晶および薄膜成長、そして各種デバイスのシミュレーションソリューションを展開しています。 同社の主要事業は、結晶成長解析ソフトウェアとデバイス解析ソフトウェアの提供です。結晶成長解析ソフトウェアには、シーメンス法による多結晶シリコン結晶成長解析を行う「PolySim」、融液と溶液からの結晶成長解析を行う「CGSim」、気相からの結晶成長2次元解析を行う「Virtual Reactor」、気相からの結晶成長3次元解析を行う「CVDSim3D」、エピタキシャル成長中の応力・歪み解析を行う「STREEM」、MPCVD法によるダイヤモンド結晶成長解析を行う「DiaDeMo」などがあります。これらのソフトウェアは、熱流体、化学反応、電磁場、プラズマといった複数の物理現象を連成したシミュレーションを可能にし、Cz法、MOCVD法、CVD法、PVT法、HVPE法、MPCVD法など多岐にわたる成長法と、シリコン、SiC、窒化物、III族砒化物、酸化物、ダイヤモンドなどの多様な結晶種に対応しています。これにより、成長速度、不純物取込、熱応力、結晶形状変化、点欠陥などの詳細な解析結果を提供します。 一方、デバイス解析ソフトウェアとしては、発光デバイスのバンドギャップ解析を行う「SiLENSe」、LEDの熱と電流解析を行う「SpeCLED」、LEDの光取り出し解析を行う「RATRO」、半導体太陽電池のバンドギャップ解析を行う「PVcell」、III族窒化物HEMTのバンドギャップ解析を行う「FETIS」、III族窒化物超格子のバンドギャップ解析を行う「BESST」を提供しています。これらのソフトウェアは、光学・電子デバイスにおけるバンド、熱、電気、光などの特性シミュレーションを可能にし、LED、レーザー、太陽電池、HEMTといったデバイスの特性評価や最適化に貢献します。 同社の強みは、結晶成長・デバイスに特化したシミュレーション技術、シミュレーション専任者でなくとも使いやすいソフトウェア設計、日本語による充実した技術サポート、そして解析結果と実験結果の高い整合性です。これらのソフトウェアは、半導体および太陽電池グレードの多結晶シリコンメーカー、単結晶・多結晶シリコン・化合物半導体・光学結晶の基板メーカー、バルク結晶育成装置・エピリアクターメーカー、LED・レーザー・太陽電池メーカー、公的研究機関、大学など、幅広い顧客層に導入実績があります。同社は、ソフトウェア提供に加え、受託解析やコンサルティングを通じて、顧客の研究開発を強力に支援するビジネスモデルを展開しています。
純利益
5,066万円
総資産
3.4億円
ROE_単体
17.46% · 2025年12月
3期分（2023/12〜2025/12）
ROA_単体
14.94% · 2025年12月
3期分（2023/12〜2025/12）
自己資本比率_単体
85.54% · 2025年12月
3期分（2023/12〜2025/12）
従業員数（被保険者）
5人 · 2026年5月
30期分（2023/12〜2026/05）
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