知的財産権
特許・実用新案112
特許
窒化物半導体基板、および窒化物半導体基板の製造方法
出願日: · 出願番号: 2021114916
特許
構造体の製造方法、および、構造体の製造装置
出願日: · 出願番号: 2021523824
特許
窒化物半導体積層物
出願日: · 出願番号: 2021003264
特許
窒化物半導体積層物、半導体装置、および窒化物半導体積層物の製造方法
出願日: · 出願番号: 2020212495
特許
GaN単結晶基板および半導体積層物
出願日: · 出願番号: 2020176487

