- 法人番号
- 8011101099847
- 所在地
- 東京都 新宿区 西早稲田1丁目22番3号
- 設立
- 従業員
- 10名
- 決算月
- 12月
- 企業スコア
- 65.1 / 100.0
代表取締役
藤嶌辰也
確認日: 2024年12月31日
株式会社Power Diamond Systemsは、究極の半導体材料であるダイヤモンドを用いた半導体デバイスの研究開発を専門とするスタートアップ企業です。同社は、ダイヤモンド半導体の持つ優れた物性(高い熱伝導率、高い絶縁破壊電界、耐放射線性、高温動作性)を最大限に引き出し、その社会実装を通じて持続可能なエネルギー社会の実現と日本の半導体産業の発展に貢献することを使命としています。 同社の主要な事業は、ダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスおよび高周波デバイスの研究開発です。具体的には、世界に先駆けた縦型構造ダイヤモンドMOSFETの開発や、パワーエレクトロニクス応用を見据えた酸化シリコン終端構造によるノーマリ・オフ化技術の開発に取り組んでいます。これらの技術は、既存のシリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などの半導体を凌駕するポテンシャルを秘めています。 対象顧客および応用分野は多岐にわたります。パワーデバイスは、太陽光発電や風力発電といった再生可能エネルギー分野、電気自動車、電動飛行機、電動船舶などの次世代モビリティ分野における省エネ・小型化に貢献します。高周波デバイスは、5G/6G対応の携帯電話基地局、気象・航空・船舶レーダー、次世代ワイヤレス給電、次世代衛星システムなどへの応用が期待されています。さらに、宇宙環境、地下環境、原子力発電所といった過酷な環境下でのデバイス応用も視野に入れています。 同社の強みは、世界をリードするダイヤモンド半導体デバイス技術と、その社会実装を可能にする強力なチーム体制にあります。早稲田大学の川原田洋教授を中心とした半導体・ビジネスに精通したメンバーに加え、著名な有識者を技術アドバイザーとして招聘し、国内有数の大学研究室やJAXAとの共同研究パートナー関係を構築しています。また、半導体業界を深く理解した経営ビジョンに基づき、適切な成長シナリオと資金調達ストーリーで企業価値向上を目指しています。 これまでの実績として、ダイヤモンドMOSFETにおけるドレイン電流の世界最高値6.8Aの達成、ダイヤモンドMOSFET相補型パワーインバータの開発着手、酸化シリコン終端構造によるノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETの共同研究開発、JAXAとの宇宙機応用に関する共同研究開始などがあります。同社は、これらの革新的な技術開発を通じて、次世代半導体市場におけるトップランナーとしての地位を確立し、社会の様々な課題解決に貢献していくビジネスモデルを推進しています。
純利益
-1.5億円
総資産
9.4億円
ROE_単体
-16.59% · 2024年12月
2期分(2023/12〜2024/12)
ROA_単体
-16.33% · 2024年12月
2期分(2023/12〜2024/12)
自己資本比率_単体
98.46% · 2024年12月
2期分(2023/12〜2024/12)
従業員数(被保険者)
10人 · 2026年5月
27期分(2024/03〜2026/05)
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