エー・イー・テック株式会社

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知的財産権

特許・実用新案6

特許

サセプタを自転公転する機構及びそれを用いた化学的気相成長方法と化学的気相成長装置

出願日: 2013年12月18日 · 出願番号: 2013261571

特許

窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置

出願日: 2013年3月11日 · 出願番号: 2013048128

特許

窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置

出願日: 2011年4月28日 · 出願番号: 2011101821

特許

構造体、及び半導体基板の製造方法

出願日: 2011年2月8日 · 出願番号: 2011553839

特許

窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置

出願日: 2010年12月21日 · 出願番号: 2010284901

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