茨城県つくば市に所在する、1977年設立・社会保険被保険者数4名の専門サービス（その他専門サービス）企業。
- 所在地
- 〒305-0821 茨城県 つくば市 春日３丁目２４番１６
- 法人番号
- 6050005008697
Google ワンタップ・30 秒 ／ ログイン
茨城県つくば市に所在する、1977年設立・社会保険被保険者数4名の専門サービス（その他専門サービス）企業。
法人向け（教育・研修・製造業・IT・ソフトウェア）個人向け行政向け
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
公益財団法人国際科学振興財団は、当時の経済団体連合会が中心となって設立され、2011年8月1日に公益財団法人へ移行した組織です。同法人は、学術文化及び科学技術の振興に貢献することを目的とし、大学、研究機関、産業界の架け橋として研究開発を活性化し、産業イノベーションの創出と発展に寄与しています。創設以来、産学官連携研究の推進を主要な事業目的として掲げ、その定着と発展に尽力してきました。同法人の活動は、社会科学、物質科学、情報科学、生命科学、環境科学に関する研究開発、並びに学術会議等の主催・共催事業を公益目的事業としています。 同法人の主要な活動は「研究開発事業」と「学術会議・人材育成」の二本柱で構成されます。研究開発事業では、社会科学、物質科学、情報科学、生命科学、環境科学の5つの広範な分野において、基礎研究から応用研究まで約30テーマに及ぶ多岐にわたる研究プロジェクトを推進しています。これらの研究は、社会課題の解決に貢献することを目指しており、大学や研究機関に所属しない専門家も財団の研究員として参画できる体制を整えています。また、研究業務の管理機関としての役割も担い、日本の研究開発事業全体の推進に寄与しています。 「学術会議・人材育成」事業では、学術会議や研究関連イベントの主催・共催を通じて、研究成果の社会への発信と次世代を担う人材の育成に注力しています。多様な研究者の交流を促進し、新たな知の創出や学際的な連携を支援することで、学術コミュニティの活性化に貢献。特に、国立高等専門学校機構および防災科学技術研究所と共同で「高専防災減災コンテスト」を主催し、高専生が地域の防災減災課題に取り組み、解決策を発表・評価する機会を提供することで、若者の主体性、創造力、地域災害対応力の向上を目指しています。 これまでの実績として、日本の半導体産業再興に貢献した新半導体・ディスプレイ産業創製研究施設の設置や半導体に関する共同研究、イネゲノム完全長cDNAライブラリー整備といった国家プロジェクトへの参画、低侵襲手術の開発、新規有機硫黄化合物の合成研究、体内時計の分子機構解明に関する時間分子細胞生物学研究、超高輝度X線発生装置の基礎研究などが挙げられます。さらに、筑波研究学園都市の研究機関を結ぶ高速ネットワーク「つくばWAN」の推進・運営や、広範な科学技術用語を網羅した「科学大辞典」の編集・刊行も行い、科学技術の知識普及と教育振興にも貢献しています。同法人は、公益財団法人としての透明性を重視し、事業内容や財務状況を積極的に公開しています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
社会保険被保険者数
4人 · 2026年9月
31期分（2024/03〜2026/09）
このデータをAIで活用
Claude / ChatGPT / Cursor などの MCP 対応クライアントから、公益財団法人国際科学振興財団の決算・登記履歴・役員・関係企業・知財・公共調達などの構造化データを直接取得できます。無料 20 クレジット/月で利用可能、9 種類のツールを提供。
接続方法を見る同地域・同業種で選定
同業種の企業を読み込み中
所在地を問わず同業種で選定
株式会社翻訳センター上場
株式会社キャラット
株式会社白洋舎上場
株式会社ヴァンガードスミス
株式会社パスコ上場
株式会社きょくとう上場
日本エマージェンシーアシスタンス株式会社上場
株式会社インターグループ
公益財団法人国際科学振興財団は特許7件を保有しています。特許は半導体などの分野が中心です。
特許
7件
審査中・消滅含む 181件
商標
0件
審査中・消滅含む 2件
登録・現存
7件
審査中
0件
満了
0件
消滅
104件
拒絶・取下げ
70件
マントルクローク組み込みレドーム登録2026・請求項2項
アンテナ間の相互結合による干渉を有効に抑制できる実装が容易なレドーム
概日リズム調節剤登録2024・請求項1項
新規な概日リズム調節剤
データ基準日: 2026年9月10日確認分
産業分野: 電気工学（現存4）・化学（現存1）
メタサーフェス反射板登録2023・請求項5項
複数の周波数帯の電波について入射角と反射角とを異ならせることができるマルチバンドメタサーフェス反射板
半導体装置登録2013・請求項16項
Inversion型トランジスタやＩｎｔｒｉｎｓｉｃ型トランジスタ、及び半導体層の蓄積層電流制御型Accumulation型トランジスタでは不純物原子濃度の統計的ばらつきによってしきい値電圧のばらつきが微細化世代で大きくなってしまい、ＬＳＩの信頼性を保つことが困難であった。
半導体装置および半導体装置の製造方法登録2013・請求項25項
ＳｉＣ基板上に、通常のシリコン酸化膜形成技術によってゲート絶縁膜を形成した場合、良好な電気的な特性を持つゲート酸化膜が得られない。
