- 法人番号
- 7010001222222
- 所在地
- 東京都 文京区 本郷7丁目3番1号
- 設立
- 従業員
- 21名
- 決算月
- 2月
- 企業スコア
- 69.9 / 100.0
代表
中尾健人
確認日: 2026年4月24日
株式会社Gaianixxは、東京大学発のテクノロジーベンチャーとして、半導体業界の革新を目指し、多能性®中間膜の研究開発、製造、販売を主要事業としています。同社は、半導体デバイスの多段層単結晶化という長年の課題を、独自の「マルテンサイト・エピタキシー」技術と「多能性®中間膜」、そして「動的格子マッチング」メカニズムによって解決しています。このコア技術は、Material(材料)、Machine(装置)、Method(製法)、Members(人材)の「M4」融合によって実現され、結晶材料・機能材料・基板材料を選ばない高品質な単結晶エピタキシャルウェハの提供を可能にしています。 同社の製品は、PZT、SiC、GaNなど多種多様な高品質単結晶薄膜に対応し、6インチや4インチに加え、将来的に12インチまでの大口径化を視野に入れています。特にPZT薄膜においては、誘電率が100〜450程度で、成膜終了時に分極が完了し「自発圧電性™」を保持するほか、450℃の高温でも脱分極しない高い耐熱性を持つことが大きな特徴です。これにより、従来の技術と比較して変位量、耐熱性、耐電圧において顕著な性能向上を実現しています。 Gaianixxの技術的優位性は、基板上の欠陥を引きずることなく高品質な単結晶を成長させられる点にあり、これにより半導体製造における歩留まり向上とコスト削減に大きく貢献します。対象顧客は、MEMS、パワーデバイス、LED製品などを手掛ける半導体関連企業であり、脱炭素化、EV化、6G通信といった次世代技術の実現に不可欠なソリューションを提供しています。同社は、産業界の企業との「競争」ではなく「共創」を重視し、ラボレベルの研究開発から量産規模へのステップアップ、さらには共同開発を通じて、経済・産業全体の発展と革新をサポートするビジネスモデルを展開しています。直近ではシリーズC 1stラウンドで総額20億円の資金調達を実施し、ネプコン ジャパンやトヨタ自動車主催の展示会にも積極的に出展するなど、その技術力と事業展開への期待が高まっています。
純利益
-2.2億円
総資産
16億円
ROE_単体
-14.23% · 2024年2月
3期分(2022/02〜2024/02)
ROA_単体
-13.95% · 2024年2月
3期分(2022/02〜2024/02)
自己資本比率_単体
98.04% · 2024年2月
3期分(2022/02〜2024/02)
従業員数(被保険者)
21人 · 2026年5月
30期分(2023/12〜2026/05)
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