- 法人番号
- 3010001020051
- 所在地
- 東京都 中央区 京橋1丁目17番10号
- 設立
- 決算月
- 3月
- 企業スコア
- 62.0 / 100.0
代表者
代表取締役社長
山口容史
確認日: 2024年3月31日
事業概要
株式会社シリコンテクノロジーは、シリコン単結晶の育成からミラーウェーハまでの優れた一貫生産体制を強みとする企業です。同社は、半導体用材料として4〜6インチの小口径に特化したシリコン単結晶およびウェーハの製造・販売を手掛けています。ポリッシュドウェーハ(PW)、エッチドウェーハ(CW)、ラップドウェーハ(LW)といった各種ウェーハを提供し、裏面ダメージ処理、酸化膜処理、レーザーマーク処理などの特殊加工にも対応しています。特に、BとGeを同時添加することで機械的強度と熱衝撃耐性を向上させたSTウェーハは、窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体用基板として注目されています。また、TTV≤1umを実現した超高平坦度基板は、接合基板(SOI、LT、TC-SAWなど)やフォトリソ加工用基板として、顧客の加工管理、時間短縮、コスト削減、歩留まり向上に貢献しています。遠赤外線用材料としては、従来の半導体用シリコン単結晶と同じ製造法で、遠赤外線領域における9μmの透過率を大幅に改善したHTシリコンを開発。これは車載用ナイトビジョンカメラや監視用赤外線カメラのレンズ・窓材に適した低コストかつ量産性の高い材料です。さらに、加工スクラップから5N(99.999%)以上の高純度多結晶ゲルマニウムを精製し、これを原料とした単結晶ゲルマニウムインゴットの育成まで国内で一貫生産を行っており、様々な用途の原料として提供しています。磁性光学材料分野では、優れた光学特性とマイクロ波特性を持つYIG(イットリウム・鉄・ガーネット)単結晶をFZ法により高純度で製造し、光アイソレータや磁気共鳴フィルタ用材料として供給しています。加えて、同社が培ってきた単結晶育成技術を活かし、結晶材の委託溶解(FZ法)や単結晶の試作開発サービスも提供しており、顧客の多様なニーズに応じたオーダーメイド製品や共同研究開発にも積極的に取り組んでいます。これらの事業を通じて、半導体、光学、新素材といった幅広い産業分野の発展に寄与しています。
キーワード
決算ハイライト
純利益
-1.7億円
総資産
31億円
KPI
ROE_単体
-30.41% · 2024年3月
7期分(2016/03〜2024/03)
自己資本比率_単体
17.87% · 2024年3月
7期分(2016/03〜2024/03)
ROA_単体
-5.43% · 2024年3月
7期分(2016/03〜2024/03)
従業員数(被保険者)
0人 · 2024年12月
13期分(2023/12〜2024/12)
