株式会社シリコンテクノロジー

閉鎖
製造業半導体・電子部品法人向け(製造業)
法人番号
3010001020051
所在地
東京都 中央区 京橋1丁目17番10号
設立
決算月
3
企業スコア
62.0 / 100.0

知的財産権

商標1特許・実用新案11
特許

グラスファイバーの表面処理方法、および該方法により表面修飾されたグラスファイバー並びにそれを用いたプリント配線基板

出願日: · 出願番号: 2012209013

J-PlatPat →
特許

窒化物半導体形成用基板及び窒化物半導体

出願日: · 出願番号: 2010210417

J-PlatPat →
商標

STウェーハ

出願日: · 出願番号: 2010054770

J-PlatPat →
特許

窒化物半導体用形成用基板およびその製造方法

出願日: · 出願番号: 2009072974

J-PlatPat →
特許

ダイヤモンド薄膜形成用基板、該基板を用いてなる半導体基板及びその製造方法

出願日: · 出願番号: 2008082297

J-PlatPat →

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