信越半導体株式会社

製造業半導体・電子部品法人向け(製造業)
法人番号
8010001018611
所在地
東京都 千代田区 大手町2丁目2番1号
従業員
1,940名
決算月
3
企業スコア
76.7 / 100.0

知的財産権

商標14特許・実用新案999+意匠4
商標

HB-WAFER

出願日: · 出願番号: 2025056737

J-PlatPat →
特許

エピタキシャルウェーハの製造方法

出願日: · 出願番号: 2024225618

J-PlatPat →
特許

シリコン(110)基板及びシリコン(110)基板の処理方法

出願日: · 出願番号: 2024200620

J-PlatPat →
特許

SiGeエピタキシャルウェーハ及びその製造方法

出願日: · 出願番号: 2024178436

J-PlatPat →
特許

シリコン単結晶ウェーハの置換型Pt濃度の評価方法、及び空孔濃度評価方法

出願日: · 出願番号: 2024177046

J-PlatPat →

3,998件中 5 件を表示

特許・商標・意匠の全出願データにアクセス

競合の知財戦略を漏れなくウォッチ

アカウント未作成の方は新規登録