- 法人番号
- 2390001015634
- 所在地
- 山形県 米沢市 城南4丁目3番16号
- 設立
- 従業員
- 4名
- 企業スコア
- 37.9 / 100.0
代表
坂本仁志
確認日: 2026年4月15日
株式会社Cool ALDは、山形大学廣瀬研究室のナノ薄膜製造研究を基盤として設立された大学発ベンチャーであり、室温原子層堆積法(RT-ALD)を専門とする研究・開発・製造支援企業です。同社は、従来の原子層堆積法が250℃から300℃程度の基板加熱を必要としたのに対し、プラズマで発生させた酸化ガスを利用することで、室温(25℃)での成膜を可能にする画期的な技術を実用化しています。この低温成膜技術は、熱に弱い精密部品、プラスチック、樹脂など、これまでALDの適用が困難だった材料へのセラミックス(金属酸化物)薄膜の付与を可能にし、防食、ガスバリア、機能性表面付与といった多様な応用を期待させます。同社の強みは、製膜対象へのダメージが少ないこと、1m級の大型反応容器でのバッチ処理により、数百枚のウェハや数千個の電子部品を一度に処理できる量産性、そしてガス処理による全表面均一コーティング能力にあります。また、SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2、HfO2、Nb2O5、ZnO、SnO2など、ほぼ全ての金属酸化物膜に対応し、多層化も可能です。事業内容としては、顧客の用途に応じた室温原子層堆積装置の開発、製造、販売、大学研究機関向けの小規模装置や制御ソフトウェア、排ガス除害フィルターの提供、特性評価の受託業務、原子層堆積コーティングサービス、および関連するメンテナンス・コンサルティング業務を展開しています。同社は、この革新的な室温コート技術を通じて、ガスバリア素材、電子部品、化学材料、医療部品、精密機器の高機能・高性能化に貢献し、素材革新をもたらすことを目指しています。
従業員数(被保険者)
4人 · 2026年5月
30期分(2023/12〜2026/05)
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