株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

株式会社FLOSFIAは、京都大学発のディープテックスタートアップとして、次世代パワー半導体材料であるコランダム構造酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）を用いたGaO®パワーデバイスの研究開発、製造、販売を主軸に事業を展開しています。同社は「SiCを超える低損失」を「シリコン並みの低コスト」で実現することを目指し、独自の成膜技術「ミストドライ®法（MISTEPITAXY®法）」を強みとしています。この技術は、非真空・低温での高品質なエピタキシャル成膜を可能にし、製造コストの大幅削減と環境負荷低減に貢献する「半導体エコロジー®」を推進しています。 GaO®パワーデバイス事業では、世界最小のオン抵抗を有するSBDの試作に成功し、従来比最大9割の損失低減を実現。さらに、最大の課題とされてきたp層を用いたMOSFETでノーマリーオフ10A超の大電流化に成功し、実用化に向け大きく前進しています。量産化の鍵となる4インチウェハ製造技術の実証も完了し、小型電源用途から産業機器、電力インフラ、電気自動車（EV）を含むモビリティ分野への展開を目指しています。製造プロセスにおいては、当初のセミファブレスモデルから、材料・成膜・転写・評価・信頼性・設備・外部連携までほぼ全ての工程を自社で立ち上げる体制へと転換し、開発と製造の境界をまたぐ統合された製造力を強みとしています。 また、成膜ソリューション事業では、ミストドライ®法を活用し、顧客の多様なアプリケーション開発をサポートしています。具体的には、1枚からのテスト成膜、膜質・基材の見直し、薄膜評価、電子材料・電池材料・意匠膜などの各種材料供給、さらには受託成膜や共同開発サービスを提供しています。三洋化成工業との共同開発では、FLOSFIAの基板埋込技術と三洋化成のマイクロ温度ヒューズを組み合わせ、超小型・薄型のパワーモジュールに過熱保護機能「Fail Operation」を埋設する技術を開発。これにより、電動化製品の小型化、軽量化、開発期間短縮に貢献し、特に車載用途での適用が期待されています。同社は「日本発の革新的材料をいち早く社会に届け、グリーンかつクリーンな未来に貢献する」という使命感を持ち、持続可能な社会の実現に貢献しています。