製造業（半導体・電子部品）法人向け（製造業）
- 法人番号
- 3370001012269
- 所在地
- 宮城県 仙台市青葉区 南吉成６丁目６番地の３
- 設立
- 従業員
- 7名
- 企業スコア
- 58.3 / 100.0
代表取締役社長
福田承生
確認日: 2026年4月15日
株式会社福田結晶技術研究所は、東北大学で培われた単結晶成長に関する高度な技術を基盤に、2002年に創業した結晶技術のベンチャー企業です。同社は、単結晶材料開発、単結晶製造技術開発、試作結晶の販売、開発装置の販売、そして単結晶製造関連の研究から製品化までのコンサルタント技術指導、装置レンタルを主要事業としています。最先端のバルク結晶成長技術を駆使し、世界に誇る技術で多岐にわたる単結晶の開発と実用化に貢献しています。 同社の主要な開発実績には、GaNエピタキシャル成長用の基板として注目されるScAlMgO₄（SAM）単結晶があり、世界で初めて無転位ウエハの作製に成功し、マイクロLED、レーザー、パワーデバイス、高周波デバイスなどへの応用が期待されています。また、逆磁歪方式振動発電用のFe-Ga単結晶の開発にも成功しており、IoT機器やセンサーの供給電源としての広範囲な用途が見込まれています。グラフェンとの相性が良いNiの大型単結晶開発も手掛けています。 さらに、半導体露光装置用レンズに用いられる超大型CaF₂やMgF₂、LiCaAlF₆などのフッ化物単結晶、LEDやセンサー、シンチレーター用途のZnO単結晶（水熱合成法）、アモノサーマル法によるGaN単結晶、LED用サファイア単結晶、SAWデバイス用ランガサイト単結晶など、幅広い種類の結晶材料の開発と製造技術指導を行っています。これらの結晶は、チョクラルスキー法（CZ法）、ソルボサーマル法（水熱合成法、アモノサーマル法）、マイクロ引下げ法（μ-PD法）といった独自の技術を用いて育成されています。 同社は、産学官連携を積極的に推進し、国内外の部品メーカー、材料メーカー、家電メーカー、照明メーカーなど多様な顧客に対して、結晶育成の技術指導、共同開発、開発委託、製造装置のレンタル・販売を通じて、新製品の創出と事業化を支援しています。長年の経験と豊富な国内外の人脈、情報網を強みとし、結晶の大口径化、高品質化、量産化技術の確立に尽力し、日本のものづくり産業の発展に貢献しています。
従業員数（被保険者）
7人 · 2026年5月
30期分（2023/12〜2026/05）
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