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法人向け(教育・研修・公共・行政・製造業)
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合は お問い合わせください。
株式会社フォトンデザインは、1999年10月1日に設立された、分光計測装置の設計、製造、販売を専門とする企業です。同社は「科学進歩のための最高の装置」を経営理念に掲げ、フォトルミネッセンス装置、ラマン装置、分光器をはじめとする高性能な分光計測装置の開発に注力しています。市場性の高い製品が優先される傾向がある中で、同社は未知の世界に挑む最先端の科学研究にとって不可欠なトップクオリティの研究装置の性能に妥協せず、常に最高の性能を追求し続けています。 主要製品として、SiC評価用PLイメージング装置「SemiScope」シリーズを提供しており、1μm以下の分解能でPL画像を測定し、タイリング機能により6インチウェハ全面を約33億画素で解析できる世界で唯一の製品(2014年7月1日時点)として高い評価を得ています。このシリーズには、標準モデルのPLI-210、カラー画像対応のPLI-210D、スペクトル線分析対応のPLIS-TEC、研究用PLI-50、量産工程用高速モデルPLI-SR、SiC半導体用PLスペクトル・イメージング装置PLIS-200など、多様なニーズに応えるラインナップがあります。 また、シリコンやゲルマニウムなどの赤外域発光半導体向けの赤外PL測定装置、ボロン、リン、アルミニウム、ヒ素などの不純物濃度を定量分析するシリコン用不純物濃度測定装置、太陽電池用PLイメージング測定装置も提供しています。PLスペクトル測定装置は、色収差がなく集光効率の高い独自の光学系が強みで、特にワイドバンドギャップ半導体PLスペクトル測定で高い評価を得ています。 ラマン測定装置では、低波数領域や深紫外領域の測定に適したトリプルモノクロメータ搭載の「JUPITER」シリーズ(JUPITER-PDPX、JUPITER-DUV)や、シングルモノクロメータを用いた「MARS」シリーズを展開。高波数分解能、高空間分解能、短波長・高波長励起ラマン、低波数ラマンなど、幅広いニーズに対応する装置を提供しています。歪シリコン測定装置「SRM」は、同装置専用の高分解能スペクトログラフと特許技術により、高い波長精度で応力測定を可能にします。 分光器は、妥協のない光学設計に基づき、クラス最高の性能を目指したシングル分光器(PDP320, PDP1000, PDP1500, PDP2000)や、迷光除去効果に優れたトリプル分光器(PDPX, PDPT320/PDPT640)を提供。スーパーインバー筐体や独自の光学設計により、高い安定性と解像度を実現しています。さらに、顕微分光測定ヘッド「COMET」、ユニバーサル顕微鏡「PDスコープ」、ファイバ入射ユニット「FN11」、ダイヤモンドアンビルセル圧力モニタ装置などのコンポーネント装置、顧客の研究目的に合わせた特注装置の設計・製造も手掛けています。 同社の製品は、東京大学、京都大学、大阪大学をはじめとする多数の大学や、宇宙航空研究開発機構、産業技術総合研究所、理化学研究所などの公的研究機関に広く導入されており、最先端の科学研究を支えています。2013年にはSiC半導体評価装置「SemiScope」が東京都ベンチャー技術大賞の大賞を受賞し、2014年には九都県市きらりと光る産業技術により表彰されるなど、その技術力と製品は高く評価されています。同社は、光学装置設計の専門スタッフが顧客の具体的な測定内容に応じた提案を行い、周辺部品の選定までサポートすることで、研究開発の最前線を強力に支援するビジネスモデルを展開しています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
従業員数(被保険者)
6人 · 2026年7月
32期分(2023/12〜2026/07)
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株式会社フォトンデザインは特許5件・商標4件を保有しています。商標は電子機器・ソフトウェア(第9類)、特許は計測などの分野が中心です。
特許
5件
登録 5
商標
4件
登録 4
SemiScope
電子機器・ソフトウェア · 登録2013
ナノスター
電子機器・ソフトウェア · 登録2007
フォトンデザイン
電子機器・ソフトウェア · 登録2001
薄膜半導体結晶層の歪み測定方法および測定装置登録2013・請求項3項
歪みを有する薄膜半導体結晶層と前記薄膜半導体結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜半導体結晶層の歪みを測定する方法および装置
薄膜半導体結晶層の歪み測定方法および測定装置登録2012・請求項4項
歪みを有する薄膜半導体結晶層と前記薄膜半導体結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜半導体結晶層の歪みを測定する方法および装置
歪み測定装置登録2011・請求項5項
歪みを有する薄膜結晶層と前記薄膜結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜結晶層の歪みを測定する歪み測定装置
分光装置登録2010・請求項5項
スペクトル分解能を損なわずに遠隔波長域にある複数のスペクトルを同時に測定する分光装置
薄膜結晶層の歪み測定方法および測定装置登録2008・請求項5項
歪みを有する薄膜結晶層と前記薄膜結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜結晶層の歪みを測定する方法および装置