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創光科学株式会社は特許56件を保有しています。特許は半導体などの分野が中心です。
特許
56件
登録 30
窒化物半導体紫外線発光素子及び窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法登録2020・請求項10項
光出力が良好な活性層を有する窒化物半導体紫外線発光素子
窒化物半導体紫外線発光素子登録2018・請求項9項
活性層からｎ型窒化物半導体層側に向けて出射された紫外線を素子外部に取り出す窒化物半導体発光素子において、ウォールプラグ効率の向上を図る。
窒化物半導体素子及びその製造方法登録2016・請求項7項
窒化物半導体素子において、ＡｌＮモル分率が６０％以上のｎ型ＡｌＧａＮ系半導体層とｎ電極間の接触抵抗の低抵抗化を図る。
エピタキシャル成長用テンプレート及びその作製方法登録2016・請求項10項
溝構造等の凹凸加工されたサファイア（０００１）基板の表面に、緻密で平坦な表面のＡｌＮ層またはＡｌＧａＮ層を横方向成長法により作製する。
窒化物半導体紫外線発光素子登録2014・請求項18項
窒化物半導体紫外線発光素子において、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｎ型クラッド層とｎ電極間の寄生抵抗を、ｎ型クラッド層のＡｌＮモル分率に関係なく低抵抗化し、順方向電圧の低電圧化を図る。
