ラピスセミコンダクタ宮城株式会社
45.0閉鎖宮城県黒川郡大衡村に所在する企業。
- 所在地
- 〒981-3603 宮城県 黒川郡大衡村 沖の平１番
- 法人番号
- 3370001017631
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宮城県黒川郡大衡村に所在する企業。
純利益
2.6億円
総資産
79億円
ROE単体
9.52% · 2020年3月
5期分（2016/03〜2020/03）
ROA単体
3.32% · 2020年3月
5期分（2016/03〜2020/03）
自己資本比率単体
34.88% · 2020年3月
5期分（2016/03〜2020/03）
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接続方法を見るラピスセミコンダクタ宮城株式会社は特許5件を保有しています。特許は半導体などの分野が中心です。
特許
5件
審査中・消滅含む 287件
実用新案
0件
審査中・消滅含む 6件
登録・現存
5件
審査中
0件
満了
0件
消滅
98件
拒絶・取下げ
190件
モニタリング方法、プラズマモニタリング方法、モニタリングシステム及びプラズマモニタリングシステム登録2015・請求項12項
実パターン上のチャージアップをリアルタイムに測定し、更に、自己整合バイアスのウェハ内面分布を測定する。
プラズマモニタリング方法登録2013・請求項3項
実パターン上のチャージアップをリアルタイムに測定し、更に、自己整合バイアスのウェハ内面分布を測定する。
データ基準日: 2026年8月6日確認分
コンタクトホール側壁の抵抗値測定方法登録2013・請求項6項
コンタクトホール側壁に付着した有機膜の抵抗値を簡単且つ的確に測定する。
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法登録2012・請求項6項
コンタクトホールをワード線上に精度良く開口できない場合でも、周辺回路からの電気信号がワード線を介して確実に制御ゲートに伝達される構造の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
半導体装置登録2009・請求項3項
抵抗素子を形成するときのレイアウト的な制限が少なく、小面積で高抵抗を確保できる半導体装置
