宮城県仙台市青葉区に所在する、2014年設立・社会保険被保険者数1名の専門サービス（経営コンサルティング）企業。
- 所在地
- 〒980-0021 宮城県 仙台市青葉区 中央２丁目２番１０号
- 法人番号
- 1370001025074
- 所在ビル
- 仙都会館(62 社)
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宮城県仙台市青葉区に所在する、2014年設立・社会保険被保険者数1名の専門サービス（経営コンサルティング）企業。
法人向け（製造業）
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
株式会社CUSICは、2014年11月に仙台市で発足した企業向け技術コンサルタント会社です。同社は、次世代半導体技術のスペシャリストとして、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、ダイヤモンド、グラフェンといった革新的な半導体材料の高品質化、デバイス化、物理的・電気的解析技術、そして低価格化を促進する生産技術の提案から、知財化、製造技術開発、市場開拓までをトータルでサポートしています。単なる技術コンサルティングに留まらず、顧客企業の事業目的に深くコミットし、特許戦略構築、マーケティング、ファイナンシャルプランニング、販路開拓、生産技術開発といった新規事業開拓活動のあらゆる側面に貢献する「テクノコンシェルジュ」としての役割を担っています。 同社の強みは、国内外の研究機関との強固なネットワークを活かし、最先端の研究開発成果を顧客製品へ適用できる点にあります。技術的なトラブルへの即時対応から中長期的な事業開拓まで、多様なフェーズの課題に総合的に対応し、技術開発、知財化、事業戦略立案、アライアンス提案を通じて顧客の事業開拓を支援します。特に、東北大学との共同研究では、結晶構造が異なる3C-SiCと4H-SiCのシームレスな積層に世界で初めて成功し、SiCパワー半導体デバイスの電力損失を大幅に削減し、長期信頼性を向上させる「CHESS-MOS®」の実現に貢献しました。この成果は、高周波デバイスや過酷環境下での集積回路実現への道を開くものです。また、欧州連合のHorizon2020研究・イノベーションプログラム「CHALLENGE」プロジェクトに参画するなど、国際的な実績も豊富です。同社は、顧客のリソースでは対応しきれない研究開発テーマをパートナー機関と共同で遂行する研究開発業務受託や、市販品では対応できない理化学機器の企画・開発・試作、専門講師の派遣なども手掛けており、幅広いサービスで顧客企業の技術的競争力強化と新たな価値創造を支援しています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
社会保険被保険者数
1人 · 2026年10月
16期分（2025/07〜2026/10）
被保険者数 前年同月比
0人 · 2026年10月
前年同月 1人（2025年10月）→ 1人（0人）
このデータをAIで活用
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同地域・同業種で選定
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サインポスト株式会社上場
株式会社ＮＴＴデータ経営研究所
シミックホールディングス株式会社上場
株式会社ガイアックス上場
リンカーズ株式会社上場
イグニション・ポイント株式会社
株式会社船井総研ホールディングス上場
ティーペック株式会社
株式会社ＣＵＳＩＣは特許14件・商標4件を保有しています。商標は電子機器・ソフトウェア（第9類）、特許は表面技術・コーティングなどの分野が中心です。
特許
14件
審査中・消滅含む 15件
商標
4件
登録・現存
14件
審査中
0件
満了
0件
消滅
0件
拒絶・取下げ
1件
Ｓｔｅｐ－Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ
物品加工・処理・印刷 · 登録2023
ＣＨＥＳＳ－ＦＥＴ
電子機器・ソフトウェア · 登録2023
ＣＨＥＳＳ－ＭＯＳ
電子機器・ソフトウェア · 登録2022
ＤｅＣｈｌｏＣｌｅａｎ
物品加工・処理・印刷 · 登録2020
ＳｉＣ積層体の製造方法登録2026・請求項2項
エピタキシャル成長条件や基板加工形状の厳密な管理、そして特殊な表面処理工程を必要とせず、立方晶ＳｉＣ層と六方晶ＳｉＣ層が相互に積層するＳｉＣ積層体の製造を可能とすること。
ヘテロ界面抵抗を低減した炭化ケイ素半導体素子登録2026・請求項5項
炭化ケイ素のヘテロ構造を含む半導体素子において、ヘテロ整合界面の自発分極に起因して発生する抵抗成分を抑制し、半導体素子の特性オン抵抗の低減を図る。
データ基準日: 2026年8月6日確認分
炭化ケイ素結晶成長方法登録2025・請求項7項
炭化ケイ素の結晶成長において、温度勾配やガス流路の精密な制御を必要とせず、結晶欠陥や熱歪の発生を抑制し、炭化ケイ素原料の使用効率を高めることで、炭化ケイ素基板の生産性を向上するとともに製造コストの低減を図る。
エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法登録2021・請求項8項
ＳｉＣ基板表面に付着したＳｉＣパーティクルを除去し、且つ、エピタキシャル成長中に発生するＳｉＣパーティクルの付着も防止でき、結晶薄膜に種々の結晶欠陥が生じることを抑制可能なエピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法
ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置登録2020・請求項10項
３Ｃ−ＳｉＣと六方晶ＳｉＣの積層構造を用いた半導体装置において、ヘテロ界面におけるキャリアの捕獲や散乱を抑制する構造とその製造方法を提供し、半導体素子の特性を向上すること。
