大阪府大阪市中央区に所在する、2020年設立・社会保険被保険者数5名の卸売・商社（電気・電子）企業。
- 所在地
- 〒541-0054 大阪府 大阪市中央区 南本町２丁目３番１２号ＥＤＧＥ本町３Ｆ
- 法人番号
- 2120001229665
- 所在ビル
- EDGE本町(55 社)
大阪府大阪市中央区に所在する、2020年設立・社会保険被保険者数5名の卸売・商社（電気・電子）企業。
法人向け（製造業）
業種・対象顧客は公開情報をもとに分類・推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ株式会社は、炭化ケイ素基板メーカーである山東天岳先進科技股份有限公司の日本法人として、単結晶SiCウェーハの販売、製品相談、顧客対応を担う。同社が取り扱う製品は、4H N型導電性SiCウェーハと4H半絶縁型SiCウェーハを中心とし、グループではP型SiCウェーハも展開する。6インチおよび8インチ製品を量産顧客へ供給し、12インチ基板の生産能力も有する。原料合成、結晶成長、切断・研磨加工を経て製造されたウェーハを、日本の半導体・電子部品メーカーへ供給する事業を主軸に置く。 導電性SiCウェーハは、SiC同質エピタキシャル層を形成し、ショットキーダイオード、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体を製造するための基板材料である。電気自動車、太陽光・風力発電、鉄道、送配電設備、スマートグリッド、産業用大電力電源などを用途とする。半絶縁型ウェーハはGaN異種エピタキシャル成長やHEMTなどの高周波デバイス向けで、5G基地局、情報通信、無線探知、放熱部材、AR眼鏡を含む光学・ウェアラブル機器への利用に対応する。 ビジネスモデルは、中国および上海の生産拠点が持つ結晶成長・ウェーハ加工能力を基盤に、日本法人が国内顧客との商談、仕様調整、技術連携、安定供給を担う形である。グループの総合年間生産能力は10万枚超、保有特許は400件超で、2025年にはSiC基板全体ならびに6インチ・8インチ製品の世界市場占有率で首位を記録した。東芝デバイス＆ストレージとの品質改善・供給拡大に向けた連携や、Boschのグローバルサプライヤーアワード受賞実績があり、量産対応力と大口半導体顧客との共同技術開発に特徴がある。
2026年10月18日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
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