法人向け（製造業）
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合は お問い合わせください。
株式会社第一機電は、高周波誘導加熱、通電加熱、抵抗加熱といった独自の加熱技術を核に、多岐にわたる産業分野向けに装置の開発、製造、販売、および関連サービスを提供する専門企業です。同社の主要事業は、工業炉、結晶育成装置、高周波電源、そして一般加熱・その他装置の4つの柱で構成されています。工業炉分野では、合金ワイヤー製造装置、ハイブリッド型焼結装置（連続式・バッチ式）、ロードロック式CVD装置、グローブボックスマルチ加熱炉、真空ホットプレス装置、各種溶解炉、焼鈍・焼入れ焼戻し装置、管状炉、バッチ式焼成炉、加熱成型装置、ホットスタンピング装置など、幅広い熱処理ニーズに対応する製品群を提供しています。特に、高張力鋼板やCFRP、マグネシウム合金といった次世代軽量材料の熱間・温間成形に対応するホットスタンピング装置の開発では、独自の高周波加熱技術とサーボプレス技術を組み合わせ、圧倒的な小型化、熱処理時間の短縮、省エネルギー・省スペース化を実現しています。結晶育成装置においては、多結晶シリコン凝固育成装置、超高品質大型インゴット成長装置、CZ法やEFG法、μ-PD法を用いた各種単結晶引上げ装置、ブリッジマン装置、液相エピタキシャル装置、昇華法装置、高温急冷アニール装置など、半導体や新素材開発に不可欠な精密な結晶成長プロセスを支援する装置を提供しています。高周波電源は、IGBTインバータ、真空管式、SiCインバータ、高周波通電加熱用電源など、多様な加熱方式に対応する高性能な電源をラインナップし、顧客の具体的な要求に応じた最適なソリューションを提供します。一般加熱・その他分野では、電気炉、高真空加熱装置、縦型高温加熱装置、誘導加熱装置、超高温加熱炉など、特殊な加熱環境や超高温領域でのニーズに応える装置を手掛けています。同社は、製品提供だけでなく、メンテナンスサービス、アフターサービス、温度シミュレーション、受託実験サービス、そして「オープンラボ」を通じた技術支援も重視しています。オープンラボでは、IH式小型ホットスタンピング実験や3000℃以上の超高温加熱受託実験など、設備導入前の事前検証や小ロット生産、新素材開発のための実験環境を提供し、顧客の「ひらめき」を形にする支援を行っています。また、AI保守診断・遠隔管理システムやADC制御（結晶自動育成システム）、高分解能ロードセル、遠隔監視・遠隔制御といった先進技術を導入し、装置の安定稼働と効率的な運用をサポートしています。これらの取り組みを通じて、同社は素材工場の脱炭素化やSDGsへの貢献にも積極的に取り組んでおり、クリーンな電気加熱を活用したCO2削減や生産性向上、省エネ・省スペース化を推進し、持続可能な社会の実現に貢献しています。対象顧客は、半導体、自動車、航空宇宙、新素材開発、研究機関など、高度な熱処理技術や結晶成長技術を求める幅広い産業分野に及びます。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
従業員数（被保険者）
50人 · 2026年7月
32期分（2023/12〜2026/07）
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酒井重工業株式会社上場
株式会社第一機電は特許29件・実用新案4件を保有しています。特許は表面技術・コーティングなどの分野が中心です。
特許
29件
登録 10
実用新案
4件
登録 3
登録・現存
3件
審査中
0件
満了
0件
消滅
10件
拒絶・取下げ
20件
Ｓｉインゴット結晶の製造方法及びその製造装置登録2020・請求項16項
本発明は、低歪み、低転位、低酸素濃度の種々の形状のＳｉインゴット結晶が得られるＳｉインゴット結晶の製造方法及びＳｉインゴット結晶の製造装置を提供することを課題とする。
放電プラズマ焼結装置および連続型放電プラズマ焼結装置登録2020・請求項8項
過大なパルス電流を流すことなく、特性ばらつきの少ない良好な焼結品を得ることが可能な放電プラズマ焼結装置および連続型放電プラズマ焼結装置
データ基準日: 2026年7月29日確認分
産業分野: 化学（23）・電気工学（10）・機械工学（7）・その他分野（1）
焼結装置および焼結方法登録2018・請求項7項
過大なパルス電流を流すことなく、特性ばらつきの少ない焼結品を得ることが可能な焼結装置および焼結方法を提供すること
Ｓｉ多結晶インゴットの製造装置、Ｓｉ多結晶インゴットおよびＳｉ多結晶ウェハー登録2015・請求項8項
成長初期に発現させるデンドライト結晶の成長方向、配列、配置、分布を制御可能であり、高品質・高均質なＳｉ多結晶インゴットを製造することができるＳｉ多結晶インゴットの製造装置、Ｓｉ多結晶インゴットおよびＳｉ多結晶ウェハー
結晶シリコン製造装置登録2011・請求項3項
従来必要とした装置の上方または下方の空間領域を不用とし、構造が簡単で製造コストを低減できる結晶シリコンの製造装置を提供するものである。
