東京都武蔵野市に所在する、2024年設立・社会保険被保険者数0名の製造業（半導体・電子部品）企業。
- 所在地
- 〒180-0022 東京都 武蔵野市 境４丁目３番１１号
- 法人番号
- 1012401041554
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東京都武蔵野市に所在する、2024年設立・社会保険被保険者数0名の製造業（半導体・電子部品）企業。
法人向け（製造業）
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
株式会社ＴＫマイクロデバイスは、化合物半導体電子デバイスを専門とし、GaNデバイス技術の研究開発、化合物半導体ファウンドリ技術コンサルティング、GaN HEMTおよびGaAs pHEMTの大信号デバイスモデル開発を主要事業とする。同社は、新型ノーマリオフGaN MISHEMTやGaN pnダイオード、GaN/Siパワーデバイスなどの研究開発に取り組み、パワーエレクトロニクス用途に向けたデバイス技術を扱う。高周波無線通信用フロントエンドモジュールのキーデバイスであるGaAs HBTとpHEMTについても、設計・製造上の技術課題に対応する。 技術コンサルティングでは、化合物半導体デバイスの開発企業やファウンドリ利用企業を対象に、技術課題の検討やファウンドリサービス会社の紹介を行う。大信号モデル開発では、RF用GaN HEMTのトラッピング効果を含むデバイス特性をモデル化し、回路設計や性能評価に用いる技術情報を整備する。法政大学とはGaN MISHEMTおよびGaN pnダイオード、名古屋工業大学とはGaN/Siエピタキシャル成長とALD GaN MISFET、広島大学とはGaN/Siパワーデバイスで連携した実績を持つ。大学との共同研究、専門技術のコンサルティング、用途別デバイスモデルの受託開発を組み合わせる事業構成であり、GaAs・GaN双方のデバイス知見と産学連携体制を強みとする。
2026年9月13日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
総資産
624万円
社会保険被保険者数
0人 · 2026年10月
29期分（2024/06〜2026/10）
被保険者数 前年同月比
-1人 · 2026年10月
前年同月 1人（2025年10月）→ 0人（-1人）
自己資本比率単体
31.82% · 2025年1月
1期分（2025/01〜2025/01）
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総資産
624万円
