神奈川県横浜市港北区に所在する、2022年設立・従業員2名の製造業（半導体・電子部品）企業。
法人向け（製造業）
ｅＭｅｍｏｒｙ Ｊａｐａｎ合同会社は、台湾の不揮発性メモリIPソリューションの世界的リーダーであるeMemory Technology Inc.の子会社として2022年4月1日に設立されました。同社は、親会社と共同で、不揮発性メモリIPの回路・レイアウト設計、検証、およびDesign kit開発を主要事業としています。具体的には、OTP（ワンタイムプログラマブル）、MTP（マルチプルタイムプログラマブル）、Flashメモリのメモリアレイ回路設計、周辺アナログ回路設計、レイアウト設計に深く関与し、日本のお客様の製品開発を技術的にサポートしています。 同社の事業は、親会社が長年培ってきたNeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoEE、NeoFlash、NeoPUFといった独自のNVM IP技術を基盤としており、これらの技術は家電製品、工業製品、自動車、AI、HPC、IoT、モバイル、クラウドサーバーなど、幅広い分野のIC製品に組み込まれ、その搭載数は600億個を超えています。eMemory Japanは、設計の初期段階からNVM IPを組み込めるよう、半導体業界で最も包括的なシリコンIPライセンスサービスである「設計サービス・ソリューション」を提供し、顧客の開発時間短縮とコスト削減に貢献しています。 また、同社は、親会社およびその子会社であるPUFsecurityと連携し、高度なセキュリティソリューションも提供しています。特に、物理複製困難関数技術を基盤としたハードウェアRoot of Trust（信頼の基点）IPや、世界初のPUFベースのポスト量子暗号ソリューションを開発・提供することで、量子コンピューティングによる新たな脅威からデバイスを保護し、次世代のコネクテッドワールドにおけるデータ保護を強化しています。さらに、シーメンスのTessent MemoryBISTとNeoFuse OTPを統合したSRAMリペアソリューションを通じて、高集積SRAMを必要とする高性能AI SoCの歩留まり向上と信頼性確保にも貢献しており、TSMCのN5、N4P、N5Aなどの先端プロセスノードでの認証実績も有しています。これらの包括的な技術とサービスにより、同社は日本の半導体ファンダリー、IDM、ファブレス・デザインハウスといった顧客に対し、高信頼性、低消費電力、高セキュリティなIPソリューションを提供し、半導体技術の進化を強力に推進しています。
従業員数（被保険者）
2人 · 2026年5月
28期分（2024/02〜2026/05）
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