東京都中央区に所在する、社会保険被保険者数67名の卸売・商社（電気・電子）企業。
- 所在地
- 〒103-0022 東京都 中央区 日本橋室町４丁目２番１６号
- 法人番号
- 3010001060923
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東京都中央区に所在する、社会保険被保険者数67名の卸売・商社（電気・電子）企業。
法人向け（製造業）
2026年3月時点
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
株式会社渡辺商行は、1930年の創業以来、半導体製造プロセス関連商品を中心に、多岐にわたる工業用材料を取り扱う専門商社です。同社は単なる商社機能に留まらず、「モノづくり商社」として、国内外に展開するグループ会社の総合力を活かし、高品質な製品の製造から供給までを一貫して手掛けています。主要な事業内容としては、半導体製造装置（常圧CVD装置、フォトマスク洗浄装置、IPA蒸気乾燥装置、ウェハ搬送移載装置、石英管洗浄装置など）の販売・製造、石英ガラス製品やシリコーン製品、精密機械加工部品、セラミックス製品、カーボン製品といった半導体・工業用部材の提供、金属材料や鉱産物（高純度天然水晶、雲母、珪石など）の販売を行っています。また、表面改質・精密洗浄処理やコーティング、ロボット修理、そしてHe-Neレーザー、干渉計レーザー、アルゴンレーザーといった特殊レーザーの再生といった修理・メンテナンスサービスも提供し、半導体製造の現場を多角的にサポートしています。同社の強みは、グループ全体での「調達力」「技術力」「海外展開力」「物流力」にあります。国内外の生産拠点と販売拠点を持ち、お客様の多様なニーズに応える高品質な製品を調達・製造。グループ会社の技術と営業が一体となり、お客様の要望を具体的な製品として形にする「製販一体」のビジネスモデルを確立しています。さらに、倉庫・運搬・輸出入通関業務・据付工事までをグループ会社がオールインワンで対応することで、サプライチェーン全体を最適化し、顧客に対して安定した供給と迅速なサービスを実現しています。これらの総合力により、半導体デバイスメーカーやシリコンメーカーをはじめとする幅広い顧客層に対し、高品質かつ信頼性の高いソリューションを提供し、半導体業界の発展に貢献しています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
社会保険被保険者数
67人 · 2026年9月
34期分（2023/12〜2026/09）
被保険者数 前年同月比
-2.9% · 2026年9月
前年同月 69人（2025年9月）→ 67人（-2人）
このデータをAIで活用
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三信電気株式会社上場
コーンズテクノロジー株式会社
因幡電機産業株式会社上場
株式会社たけびし上場
ソニーマーケティング株式会社
株式会社マクニカ上場
株式会社立花エレテック上場
泉州電業株式会社上場
株式会社渡辺商行は特許7件・商標4件・意匠2件を保有しています。商標は電子機器・ソフトウェア（第9類）、特許は半導体などの分野が中心です。
特許
7件
審査中・消滅含む 164件
商標
4件
審査中・消滅含む 7件
意匠
2件
実用新案
0件
審査中・消滅含む 1件
登録・現存
7件
審査中
0件
満了
0件
消滅
73件
拒絶・取下げ
85件
ＨｆＮ膜の製造方法およびＨｆＮ膜登録2020・請求項1項
安定的な原料供給が可能で、長期使用が可能であるＨｆＮ膜の製造方法およびＨｆＮ膜
気化器登録2018・請求項1項
複数の薄膜形成原料溶液が、安定に、確実に分散部本体内にて、確実に分離されてキャリアガスによって運ばれ、後工程の気化部にて、前記複数の薄膜形成原料溶液がそれぞれ安定に気化が行われる気化器および気化器に用いられるセンターロッド、ならびにキャリアガスに同伴される原料などを気化する方法を得る。
データ基準日: 2026年8月6日確認分
※各区分の現存登録・審査中・消滅の件数です。企業の事業分野そのものではありません。
気化器登録2018・請求項5項
膜における、波紋、パーティクル、カーボン量を減少させることができ、しかも、所望の組成を有する膜を形成することができる原料供給可能で、必要以上の加熱を要することなく気化を十分に行うことが可能な、しかも、温度管理を容易とする気化器
成膜装置および気化器の設置方法登録2016・請求項3項
設置する場合に、建物内での設置の高さ制限が緩和された、またメンテナンスが簡単である成膜装置および気化器の設置方法
気化装置、及び、気化装置を備えた成膜装置登録2014・請求項14項
MOCVD膜堆積装置に用いられる気化装置は、複数のガス通路が上方向からガスを導入する構造であったため、噴出ノズルの位置合わせが困難で、気化部に噴出する原料溶液を混合したキャリアガスの圧力と流量を正確に制御できず、MOCVD膜の組成の高精度制御が困難であった。
