大阪府枚方市に所在する、2008年設立・社会保険被保険者数53名の製造業（半導体・電子部品）企業。
- 所在地
- 〒573-0128 大阪府 枚方市 津田山手２丁目８番１号
- 法人番号
- 8120001153298
大阪府枚方市に所在する、2008年設立・社会保険被保険者数53名の製造業（半導体・電子部品）企業。
法人向け（製造業・IT・ソフトウェア）
業種・対象顧客は公開情報をもとに分類・推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
株式会社イオンテクノセンターは、半導体産業を中心に、イオン注入サービス、分析・評価・試験サービス、半導体プロセス・研究開発、およびヒューマンリソースソリューション（ERM事業部）の4つの主要事業を展開しています。同社のイオン注入サービスは、イオン化した物質を固体に注入し特性を変化させる加工方法であり、半導体製造におけるドーピングプロセスに不可欠です。60種類以上のイオン種に対応し、小片から12インチまでの多様な試料サイズ、5keVから8MeVまでの幅広い加速エネルギー、室温から600℃までの高温イオン注入技術を提供することで、注入ダメージの緩和に貢献しています。さらに、最大1800℃の高温高速アニールや、アニール時の表面荒れを防ぐカーボンキャップ膜の成膜技術も提供し、研究開発から少量量産まで幅広く対応しています。 分析・評価・試験サービスでは、半導体・エレクトロニクス関連材料をはじめとする各種材料の研究開発や品質管理を、物理分析や多様な評価技術で支援しています。材料解析、故障解析、信頼性評価試験を包括的に提供し、オンサイト分析も可能です。特に、車載用電子部品の信頼性評価や、密閉パッケージ内の水分・残留ガス分析、微小リーク試験にも対応しています。また、Integrated Service Technology Inc.の日本総代理店として、分析・試験サービスの強化を図っています。 半導体プロセス・研究開発事業では、基礎研究から新規材料・デバイス開発、シミュレーション開発までを支援し、顧客設計デバイスの一貫試作や工程試作のコーディネート、評価を実施しています。イオン注入を中心としたプロセス技術に加え、成膜や高温熱処理技術も有し、SiC、GaN、Ga2O3などの新規材料にも対応。パワー半導体向けの裏面加工（研削、エッチング、イオン注入、活性化アニール、裏面電極形成）の一貫受託も強みです。 ヒューマンリソースソリューションを提供するERM事業部では、半導体業界に特化したBPOサービス、人材派遣、職業紹介サービスを展開。技術力を持つ人材の派遣、人材教育、マニュアル再構築、装置・機器の活用支援、インハウスBPO支援を通じて、顧客企業の事業最適化と社会課題解決に貢献しています。同社は長年の実績と経験、そして国内外の幅広いネットワークを活かし、顧客の多様なニーズに柔軟かつスピーディーに対応することで、高い信頼を得ています。2024年には韓国に子会社ITC KOREAを設立し、分析サービスを開始するなど、グローバルな事業展開も進めています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
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株式会社イオンテクノセンターの直近の動向として、2026年9月に、昨年の法政大学イオン工学シンポジウムでの講演内容が法政大学の学術機関リポジトリに掲載されたことを発表しています。
決算によると、純利益は2021年8月期の-249万円から2022年8月期には4,423万円、2023年8月期には1,779万円となり、2024年8月期には-5,641万円に落ち込んだ後、2025年8月期には596万円と黒字に転じています。総資産は2021年8月期の4億8,349万円から2025年8月期には6億9,674万円へと拡大しています。社会保険被保険者数は2025年6月の45名から2026年9月には52名へと緩やかに増加しています。
これらのことから、同社はイオン注入技術に関する研究成果を学術的に発信しながら、財務基盤を拡充し、人員体制も強化している時期にあたります。
この要約は 2026年9月18日（JST）生成時点の公開情報に基づく AI 要約です。数値は生成時点の情報で、ヘッダやKPIの最新値とは異なる場合があります。 対象イベント 1 件。 事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
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同地域・同業種で選定
他の27社
社会保険被保険者数
53人 · 2026年11月
35期分（2023/12〜2026/11）
被保険者数 前年同月比
+15.2% · 2026年11月
前年同月 46人（2025年11月）→ 53人（+7人）
ROE単体
1.83% · 2025年8月
5期分（2021/08〜2025/08）
ROA単体
0.86% · 2025年8月
5期分（2021/08〜2025/08）
自己資本比率単体
46.76% · 2025年8月
5期分（2021/08〜2025/08）
紹介就職者数
0人 · 2026年3月
7期分（2020/03〜2026/03）
紹介離職者数
0人 · 2026年3月
7期分（2020/03〜2026/03）
派遣賃金平均額
1.6万円 · 2025年6月
1期分（2025/06〜2025/06）
派遣労働者数
3人 · 2025年6月
1期分（2025/06〜2025/06）
派遣料金平均額
2.5万円 · 2025年6月
1期分（2025/06〜2025/06）
派遣マージン率
34% · 2025年6月
1期分（2025/06〜2025/06）
所在地を問わず同業種で選定
純利益
597万円
総資産
7.0億円
株式会社イオンテクノセンターは特許6件を保有しています。特許は半導体などの分野が中心です。
特許
6件
審査中・消滅含む 13件
登録・現存
6件
審査中
1件
満了
0件
消滅
2件
拒絶・取下げ
4件
※各区分の現存登録・審査中・消滅の件数です。企業の事業分野そのものではありません。
データ基準日: 2026年10月10日確認分
積層構造体、及び積層構造体の製造方法登録2025・請求項3項
酸化ガリウム系半導体基板にＳｉ膜が積層された積層構造体の製造方法であって、スマートカットによりＳｉ基板からＳｉ膜を精度よく分離することができる積層構造体の製造方法、及びその製造方法により製造された積層構造体
電界効果トランジスタ登録2025・請求項5項
トレンチ構造を利用した電界効果トランジスタであって、より高い耐圧を有する電界効果トランジスタ
パワー半導体素子及びその製造方法登録2024・請求項10項
パワー半導体素子において、高耐圧、大電流が可能で低オン電圧、低スイッチング損失、低ノイズを実現する。酸化ガリウムドリフト層を形成した第一導電型の酸化ガリウム基板と第二導電型のＳｉ基板を接合させて少なくともＳｉ基板側から酸化ガリウムドリフト層の一部に達するトレンチゲートを設け、高チャネル移動度を有するＳｉ−ＭＯＳＦＥＴと高耐圧の酸化ガリウムドリフト層を組み合わせたトランジスタ構造において、トレンチ底部のゲート酸化膜は電界ストレスを受け、絶縁破壊のリスクが大きい。
