広島県福山市に所在する、2019年設立・社会保険被保険者数539名の製造業（半導体・電子部品）企業。
- 所在地
- 〒721-0924 広島県 福山市 大門町旭１番地
- 法人番号
- 9240001053799
広島県福山市に所在する、2019年設立・社会保険被保険者数539名の製造業（半導体・電子部品）企業。
法人向け（製造業）
2026年3月時点
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
フォックスコン福山テクノロジーズ株式会社は、半世紀にわたるシャープ株式会社の半導体事業とレーザー事業を継承し、2019年に設立されました。2025年9月には鴻海グループ内の再編により、鴻元國際投資股份有限公司の100%子会社となり、同年12月1日に現在の社名へ変更しました。同社は、長年培った高度な技術力と豊富な経験を基盤に、半導体レーザーの企画、開発、生産、販売、および半導体・半導体応用デバイスの製造・販売、ファウンドリーサービスを主要事業として展開しています。 レーザー事業では、1960年代からの研究開発と量産実績を誇り、青紫色、青色、緑色、赤色、近赤外といった幅広い波長帯の半導体レーザーをラインアップしています。コアとなるレーザーチップは全て国内の自社工場で開発・生産されており、低出力からワットクラスの高効率製品まで提供。これらの半導体レーザーは、高い発光効率と省エネルギー性、優れた単色性、指向性、集光性を特徴とし、レーザー加工、レーザーダイレクトイメージング、光学センサなどの産業用途に加え、プロジェクター、ARグラス、照明といったディスプレイ・ライティング用途、さらには医療、農業（レーザー害虫駆除システムなど）といった多岐にわたる分野で応用されています。特に、EV用リチウムイオンバッテリーやモーター製造に不可欠な銅加工用高出力青色レーザーの開発にも注力し、脱炭素社会への貢献を目指しています。 半導体事業では、液晶ドライバーIC、アナログIC、メモリー、イメージセンサーなど幅広い半導体製品の製造・販売を約50年にわたり行ってきました。同社の半導体製品は、各種家電製品、モバイル機器、自動車など、現代社会の多様な製品に組み込まれています。また、脱炭素社会実現のキーデバイスである省エネルギー型パワー半導体の開発にも取り組んでいます。ファウンドリーサービスでは、アナログ、高耐圧、BCD、Mixed Signalを含む幅広い製造プロセス技術を提供し、お客様のプロセスポーティングやカスタムプロセス開発にも対応。広島県福山市に位置する先進的な8インチウェハ工場は、完全自動制御されたクリーンシステムにより、高品質かつ高歩留まりのウェハを月産24,000枚の能力で提供しています。同社はISO9001および自動車産業に特化したIATF16949の認証を取得しており、高品質・高信頼性の製品安定供給を強みとしています。鴻海グループの一員として、グローバルサプライチェーンや先端製造技術との連携を強化し、お客様の独創的な商品を支える特長デバイスを創出し続けています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
純利益
-3.9億円
総資産
274億円
社会保険被保険者数
539人 · 2026年8月
32期分（2023/12〜2026/08）
ROE単体
-1.9% · 2026年3月
8期分（2019/03〜2026/03）
ROA単体
-1.43% · 2026年3月
8期分（2019/03〜2026/03）
自己資本比率単体
75.44% · 2026年3月
8期分（2019/03〜2026/03）
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接続方法を見る同地域・同業種で選定
所在地を問わず同業種で選定
日本電子材料株式会社上場
フォックスコン福山テクノロジーズ株式会社は特許21件を保有しています。特許は半導体などの分野が中心です。
特許
21件
審査中・消滅含む 37件
登録・現存
21件
審査中
2件
うち審査請求なし 1件
満了
0件
消滅
0件
拒絶・取下げ
14件
レーザ装置、およびレーザ装置の製造方法登録2026・請求項6項
容易に調整できるレーザ装置
半導体装置登録2025・請求項7項
動作電圧の異なる複数のトランジスタを混載した場合に内部素子へのサージの流入を防止可能かつコンパクトな半導体装置
データ基準日: 2026年8月6日確認分
マイクロ発光素子及び画像表示素子登録2025・請求項27項
波長変換部の変換効率を向上させ、消費電力を低減する。
画像表示素子および画像表示素子の製造方法登録2025・請求項14項
光のクロストークを低減し、光取り出し効率を改善する。
半導体装置登録2025・請求項3項
ＬＤＭＯＳトランジスタの耐圧を向上させながらアバランシェ降伏による耐圧低下を容易に回避する。
