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法人向け（製造業）
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合は お問い合わせください。
JPX (日本取引所グループ) 月次データおよび EDINET 提出者情報より。
株式会社KOKUSAI ELECTRICは、半導体デバイスの進化を支える半導体製造装置の専業メーカーです。同社は、半導体製造の前工程における「成膜プロセス」と「トリートメント（膜質改善）プロセス」を事業の軸としており、これらのプロセス装置の開発、製造、販売、搬入、セットアップ、さらにはメンテナンス、修理、部品販売といったアフターサービスまでを一貫して提供しています。特に、ウェーハ上にポリシリコン膜や絶縁膜などの薄膜を形成する成膜プロセス装置、および成膜後にプラズマや熱を用いて膜質を改善するトリートメントプロセス装置において、世界トップクラスの市場シェアを誇ります。 同社の強みは、半導体デバイスの複雑化、三次元化、微細化に対応する高度な技術力にあります。特に、高難易度成膜と高生産性を両立する「バッチALD技術」は、原子層レベルでの高品質な薄膜形成と、一度に数十枚以上のウェーハを処理できるバッチ成膜の生産性を融合させた独自のソリューションです。これにより、狭く深い高アスペクト比の溝や孔を持つウェーハに対しても、優れたステップカバレッジで成膜を可能にします。また、「トリートメント（膜質改善）技術」は、低温環境下での膜質改善を可能にし、膜中の不純物除去や粒子安定化を実現。200層以上の深孔を有する3D-NAND向けにも採用されるなど、主要メモリメーカーから高い評価を得ています。 同社は、熱流体力学、機械工学、制御工学、電気・電子工学、マテリアル工学、物理工学、プラズマ工学といった多岐にわたる技術を結集し、お客様の多様なニーズに応えるイノベーションを創出しています。世界中の半導体デバイスメーカーを主要顧客とし、装置のライフサイクル全体にわたる充実したアフターサービスを提供することで、半導体生産工場の安定稼働を支えています。今後も、半導体デバイス市場の拡大と高密度化・高性能化の要求に応えるため、高付加価値製品の販売拡大と研究開発に注力し、WFE（Wafer Fab Equipment：半導体製造装置市場）の成長を上回る売上成長を目指しています。
2026年4月28日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣは直近、株主構成と経営体制まわりの動きが続いています。2025年6月に新経営体制発足を公表したのち、同年7月以降は主要株主および筆頭株主の異動に関するお知らせを2025年7月・10月、2026年2月・4月・5月と複数回開示しています。基板処理装置や半導体装置の製造方法に関する特許出願は2025年6月以降に8件、商標は2025年7月に「ＳＥＮＫＵ」、9月には「ＢＲＥＤＧＥ」「§ＢＲＥＤＧＥ」「ＱＬＥＡＤ」を同月に計8件まとめて出願しています。2025年11月には2026年3月期通期業績予想の修正および中間配当を、2026年1月には2026年4月1日付の執行役員体制を発表し、2026年2月には本店所在地を東京都千代田区神田鍛冶町から同区大手町１丁目９番５号へ変更。2026年4月には富山県砺波市における土地取得を開示しています。四半期・半期決算や有価証券届出書などのルーティン開示も期中に継続的に行われています。
公表されている決算では、連結売上収益が2024年3月期 180,838百万円 → 2025年3月期 238,933百万円、当期純利益が22,374 → 36,004百万円と推移しています。単独でも売上が131,260 → 188,687百万円、純利益が18,371 → 30,406百万円と増加しました。社会保険被保険者数は2025年2月の1,189名から2026年5月の1,283名へと94名（約8%）増加し、緩やかな増加で推移しています。
特許出願や複数の新規商標出願、執行役員体制の刷新、砺波市での土地取得など研究開発・ブランド・拠点の各面で打ち手が並行する一方、主要株主・筆頭株主の異動に関する開示が短期間に繰り返されており、株主構成の変動が続いています。
この要約は 2026-05-19 に AI が公開情報をもとに生成しています。 対象イベント 57 件。 事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
収益（IFRS）
2,351億円
純利益
301億円
総資産
3,597億円
従業員数（被保険者）
1,287人 · 2026年7月
32期分（2023/12〜2026/07）
ROE単体
14.1% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
ROA単体
8.34% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
自己資本比率単体
59.11% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
ROE
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13.73% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
ROA連結
8.37% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
自己資本比率連結
60.97% · 2026年3月
4期分（2023/12〜2026/03）
EPS
98円 · 2026年3月
4期分（2023/12〜2026/03）
希薄化後EPS
97円 · 2026年3月
4期分（2023/12〜2026/03）
BPS
693円 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
PER
51倍 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
発行済株式総数
2.4億株 · 2026年3月
4期分（2023/12〜2026/03）
1株当たり配当金
37円 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
配当性向
37.7% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
株主総利回り
121.4% · 2026年3月
2期分（2025/03〜2026/03）
設備投資額
169億円 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
役員報酬総額
4.8億円 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
男性役員数
7人 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
女性役員数
3人 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
女性役員比率
30% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
従業員数
1,193人 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
平均年齢
44歳 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
平均勤続年数
18年 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
平均年間給与
961万円 · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
女性管理職比率
7% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
男女賃金格差（全体）
78.3% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
男女賃金格差（正規雇用）
53.7% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
男女賃金格差（非正規雇用）
78.8% · 2026年3月
3期分（2024/03〜2026/03）
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採用根拠の trace 付き (Compalyze 独自)
| 指標 | 直近 | 前期比 | 5期 CAGR | 推移 (古 → 新) |
|---|---|---|---|---|
収益（IFRS） 百万円 | 235,079 FY2026 | -1.6% | +14.0% | |
売上総利益 百万円 | 96,810 FY2026 | -4.8% | +13.6% | |
営業利益 百万円 | 41,836 FY2026 | -18.5% | +16.7% | |
当期純利益 百万円 | 30,099 FY2026 | -16.4% | +16.0% |
| 指標 | 直近 | 前期比 | 5期 CAGR | 推移 (古 → 新) |
|---|---|---|---|---|
EPS 円 | 129.0 FY2026 | -16.6% | +15.4% | |
潜在 EPS 円 | 128.5 FY2026 | -15.7% | +17.1% | |
| 指標 | 直近 | 前期比 | 5期 CAGR | 推移 (古 → 新) |
|---|---|---|---|---|
ROE % | 14.5 FY2026 | -22.9% | +6.4% | |
自己資本比率 % | 61.0 FY2026 | +6.3% | +10.6% |
| 指標 | 直近 | 前期比 | 5期 CAGR | 推移 (古 → 新) |
|---|---|---|---|---|
総資産 百万円 | 359,658 FY2026 | +5.3% | -2.1% | |
総負債 百万円 | 140,388 FY2026 | -3.4% | -13.6% | |
| 指標 | 直近 | 前期比 | 5期 CAGR | 推移 (古 → 新) |
|---|---|---|---|---|
営業 CF 百万円 | 48,801 FY2026 | +26.8% | +307.3% | |
投資 CF 百万円 | -16,954 FY2026 | +38.8% | — | |
| 693.5 FY2026 |
| +10.3% |
| +9.4% |
DPS 円 | 37.0 FY2026 | +0.0% | +83.4% |
| 219,270 FY2026 |
| +11.8% |
| +8.2% |
自己資本 百万円 | 219,270 FY2026 | +11.8% | +8.2% |
短期有利子負債 百万円 | 11,514 FY2026 | +1.5% | +23.9% |
長期有利子負債 百万円 | 35,306 FY2026 | -24.7% | -35.2% |
流動負債 百万円 | 90,729 FY2026 | +9.7% | +1.8% |
固定負債 百万円 | 46,778 FY2026 | -22.7% | -30.8% |
財務 CF 百万円 |
| -21,514 FY2026 |
| +63.0% |
| — |
現預金 百万円 | 56,543 FY2026 | +26.3% | -21.9% |
株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣは特許1,019件・意匠63件・商標11件を保有しています。商標は機械・エンジン（第7類）、特許は半導体などの分野が中心です。
特許
1,019件
登録 780
意匠
63件
登録 63
商標
11件
登録 11
ＱＬＥＡＤ
電子機器・ソフトウェア · 登録2026
ＱＬＥＡＤ
電子機器・ソフトウェア · 登録2026
ＢＲＥＤＧＥ
電子機器・ソフトウェア · 登録2026
ＢＲＥＤＧＥ
電子機器・ソフトウェア · 登録2026
ＱＬＥＡＤ
機械・エンジン・建設・修理・工事 · 登録2026
ＢＲＥＤＧＥ
機械・エンジン・建設・修理・工事 · 登録2026
基板処理方法、プログラム、基板処理装置及び半導体装置の製造方法登録2026・請求項22項
膜特性を向上させることが可能な技術
処理方法、半導体装置の製造方法、処理装置、およびプログラム登録2026・請求項22項
特定の下地の表面に選択的に吸着抑制層を形成し、所望の下地の表面上に選択的に膜を形成する処理方法、処理装置、プログラム及び半導体装置の製造方法
産業分野: 電気工学（634）・化学（479）・計測機器（17）・機械工学（12）
基板処理方法登録2026・請求項17項
基板に形成される膜の均一性を向上させ、段差被覆性を制御する。
基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム登録2026・請求項16項
所望の表面上に高い精度で選択的に膜を形成することが可能な技術
基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム登録2026・請求項15項
金属膜の電気的特性を改善することが可能な技術を提供する
出典: edinet / 取得 2026年6月10日
前年同期比・連結
2026年3月31日 期末の半期は前年同期比で収益（IFRS）が 2.3%増、営業利益が 17.2%減、純利益が 13.8%減。
収益（IFRS）
▲ 2.3%
1,172.05億円（前年同期 1,145.48億円）
営業利益
▼ 17.2%
227.1億円（前年同期 274.4億円）
純利益
▼ 13.8%
155.58億円（前年同期 180.53億円）
出典: EDINET 半期報告書（通期進捗ではなく前年同期との比較）
