山梨県甲府市に所在する、2023年設立・社会保険被保険者数1名の製造業（半導体・電子部品）企業。
- 所在地
- 〒400-0011 山梨県 甲府市 上積翠寺町１６３７番地
- 法人番号
- 1090003002323
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山梨県甲府市に所在する、2023年設立・社会保険被保険者数1名の製造業（半導体・電子部品）企業。
法人向け（製造業）
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
ＳＨＷ Ｔｅｃｈ株式会社は、「VUVとプラズマによる原子レベルの接合で未来を拓く」を掲げ、半導体製造装置の開発、製造、販売を通じて社会に貢献する企業です。同社の主要な業務内容は、接合装置の開発、高速アニール、製造、販売であり、特にプラズマ、VUV（真空紫外線）、原子レベルの接合技術をコアとしています。検査・画像解析技術も提供し、製品の品質向上に寄与しています。 同社の最大の強みは、独自の「IFBゼロレディーボンディング技術」です。この革新的な技術により、従来の常温・低温接合では困難とされていたsapphire（サファイヤ）とSiC（炭化ケイ素）の直接接合に世界で初めて成功しました。IFB技術は、VUVとプラズマを活用した化学的酸化膜還元プロセスにより、酸化膜内部から酸素・炭素を原子レベルで除去し、高活性な表面を形成します。これにより、従来のOH基親水化に依存せず、原子レベルでの直接結合を可能にし、nmレベルの凹凸を埋め込むことで高い異物耐性を持つ接合界面を実現します。 IFB技術は、SiC–SiC常温ボンディング、SiO₂–SiO₂ハイブリッドボンディング、パワーデバイス・RFデバイスの3D集積化、透明材料・光学材料の積層など、幅広い応用領域で大きな利点をもたらします。特に、高耐熱材料の異種接合や、サファイヤ、Al₂O₃、SiCを利用した新構造デバイスへの対応が可能です。また、ハイブリッドボンディングにおいては、金属表面酸化膜の還元作用により、ピュアな金属パッド面を維持した酸化膜接合も実現します。同社は、国立成功大学半導体学院の水野潤教授研究グループとの共同研究開発を通じて、常に最先端の技術革新を追求しており、Hybrid Bonding（WBX-H300）やQuad Bond™（WBX-V200）などの製品・ソリューションを提供しています。これらの技術と製品は、次世代の半導体デバイス製造における重要な課題を解決し、顧客企業の技術革新を強力に支援しています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
ＳＨＷ Ｔｅｃｈ株式会社は2025年6月、ＳＨＷ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｊａｐａｎ合同会社から現商号へ商号を変更しました。続く8月には「半導体製造装置及び半導体製造方法」、11月には「材料接合方法、半導体ウエーハ接合方法、材料接合装置及び半導体ウエーハ接合装置」と、半導体接合関連の特許を立て続けに出願しています。12月には次世代半導体材料SiCとシリコン、サファイアの常温接合IFBに成功したことを公表しました。
社会保険被保険者数は2025年2月の2名をピークに、2026年5月には1名へと1名（約50%）減少しています。
商号変更後の半年あまりで特許2件の出願と接合技術成功の対外公表が連なっており、IFB技術を軸とした半導体接合分野での研究開発が中心となっています。
この要約は 2026年5月31日（JST）生成時点の公開情報に基づく AI 要約です。数値は生成時点の情報で、ヘッダやKPIの最新値とは異なる場合があります。 対象イベント 4 件。 事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
社会保険被保険者数
1人 · 2026年9月
33期分（2023/12〜2026/09）
被保険者数 前年同月比
-1人 · 2026年9月
前年同月 2人（2025年9月）→ 1人（-1人）
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ザインエレクトロニクス株式会社上場
株式会社フェローテック上場
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日本電子材料株式会社上場
トレックス・セミコンダクター株式会社上場
アプライドマテリアルズジャパン株式会社
マイポックス株式会社上場
株式会社ニックス上場
ＳＨＷ Ｔｅｃｈ株式会社は特許6件を保有しています。特許は半導体などの分野が中心です。
特許
6件
登録・現存
6件
審査中
0件
満了
0件
消滅
0件
拒絶・取下げ
0件
半導体製造装置及び半導体製造方法登録2025・請求項24項
半導体材料の搬送過程で半導体材料の表面に形成された自然酸化膜を制御することにより材料同士の接合強度を向上できる半導体製造装置及び半導体製造方法を得る。
ウエーハのアライメント方法、ウエーハの接合方法、ウエーハのアライメント装置及びウエーハの接合装置登録2025・請求項32項
撮像部でウエーハを正確に認識することによりアライメント精度が向上でき、併せてウエーハの接合精度を向上できる、ウエーハのアライメント方法、ウエーハの接合方法、ウエーハのアライメント装置及びウエーハの接合装置
データ基準日: 2026年8月6日確認分
半導体ウエーハの接合装置及び接合方法登録2025・請求項4項
簡易な構成により、半導体製造プロセスにおけるウエーハ同士の接合強度を向上できる。
半導体ウエーハの接合装置及び接合方法登録2024・請求項4項
簡易な構成により、半導体製造プロセスにおけるウエーハ同士の接合強度を向上できる。
半導体ウエーハの接合装置及び接合方法登録2024・請求項6項
簡易な構成により、半導体製造プロセスにおけるウエーハ同士の接合強度を向上できる。
