宮城県仙台市青葉区に所在する、2002年設立・社会保険被保険者数7名の製造業（半導体・電子部品）企業。
- 所在地
- 〒989-3204 宮城県 仙台市青葉区 南吉成６丁目６番地の３
- 法人番号
- 3370001012269
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宮城県仙台市青葉区に所在する、2002年設立・社会保険被保険者数7名の製造業（半導体・電子部品）企業。
法人向け（製造業）
2026年3月時点
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
株式会社福田結晶技術研究所は、東北大学で培われた単結晶成長に関する高度な技術を基盤に、2002年に創業した結晶技術のベンチャー企業です。同社は、単結晶材料開発、単結晶製造技術開発、試作結晶の販売、開発装置の販売、そして単結晶製造関連の研究から製品化までのコンサルタント技術指導、装置レンタルを主要事業としています。最先端のバルク結晶成長技術を駆使し、世界に誇る技術で多岐にわたる単結晶の開発と実用化に貢献しています。 同社の主要な開発実績には、GaNエピタキシャル成長用の基板として注目されるScAlMgO₄単結晶があり、世界で初めて無転位ウエハの作製に成功し、マイクロLED、レーザー、パワーデバイス、高周波デバイスなどへの応用が期待されています。また、逆磁歪方式振動発電用のFe-Ga単結晶の開発にも成功しており、IoT機器やセンサーの供給電源としての広範囲な用途が見込まれています。グラフェンとの相性が良いNiの大型単結晶開発も手掛けています。 さらに、半導体露光装置用レンズに用いられる超大型CaF₂やMgF₂、LiCaAlF₆などのフッ化物単結晶、LEDやセンサー、シンチレーター用途のZnO単結晶（水熱合成法）、アモノサーマル法によるGaN単結晶、LED用サファイア単結晶、SAWデバイス用ランガサイト単結晶など、幅広い種類の結晶材料の開発と製造技術指導を行っています。これらの結晶は、チョクラルスキー法（CZ法）、ソルボサーマル法（水熱合成法、アモノサーマル法）、マイクロ引下げ法（μ-PD法）といった独自の技術を用いて育成されています。 同社は、産学官連携を積極的に推進し、国内外の部品メーカー、材料メーカー、家電メーカー、照明メーカーなど多様な顧客に対して、結晶育成の技術指導、共同開発、開発委託、製造装置のレンタル・販売を通じて、新製品の創出と事業化を支援しています。長年の経験と豊富な国内外の人脈、情報網を強みとし、結晶の大口径化、高品質化、量産化技術の確立に尽力し、日本のものづくり産業の発展に貢献しています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
社会保険被保険者数
8人 · 2026年9月
34期分（2023/12〜2026/09）
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ザインエレクトロニクス株式会社上場
株式会社フェローテック上場
レーザーテック株式会社上場
日本電子材料株式会社上場
トレックス・セミコンダクター株式会社上場
アプライドマテリアルズジャパン株式会社
マイポックス株式会社上場
株式会社ニックス上場
株式会社福田結晶技術研究所は特許11件を保有しています。特許は表面技術・コーティングなどの分野が中心です。
特許
11件
審査中・消滅含む 44件
登録・現存
11件
審査中
0件
満了
0件
消滅
7件
拒絶・取下げ
26件
産業分野: 化学（現存10）・電気工学（現存2）・計測機器（現存1）・機械工学（現存1）
るつぼ並びに単結晶の育成装置及び育成方法登録2022・請求項10項
グラファイトからなるルツボの使用が可能であり、組立・配置が極めて簡単であ り、熱効率が良く、歪の少ない８インチ以上の大口径の単結晶をも育成することができる単結晶の育成装置及び育成方法を提供すること。単結晶育成装置及び育成方法に用いられる高寿命なルツボを提供すること
高性能Ｆｅ－Ｇａ基合金単結晶製造方法登録2021・請求項3項
本発明は、長尺であっても結晶欠陥が無く、表面に肌荒れが無く、結晶内に空孔、異成分晶出物が無く。磁歪特性が従来より優れ、かつバラつきが少なく単結晶を製造することが可能な高性能Ｆｅ−Ｇａ基合金単結晶製造方法を提供すること
電磁波のビーム観測方法及び観測システム登録2021・請求項8項
ジャイロトロン等によって発生するマイクロ波、テラヘルツ波、赤外光のビームの位置またはプロファイルのより簡便な観測方法及びシステム
ＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶の製造方法登録2021・請求項6項
育成初期の白濁部の発生を防止することが可能なＳｃＡｌＭｇＯ ４ 単結晶の製造方法を提供すること
窒化物半導体自立基板作製方法登録2020・請求項3項
より安価に貫通転位密度の少ない窒化物半導体自立基板が作製できるようにする。
データ基準日: 2026年8月27日確認分
