神奈川県横浜市金沢区に所在する、2014年設立・社会保険被保険者数34名の製造業（半導体・電子部品）企業。
- 所在地
- 〒236-0004 神奈川県 横浜市金沢区 福浦２丁目２番地１
- 法人番号
- 5010101011196
Google ワンタップ・30 秒 ／ ログイン
神奈川県横浜市金沢区に所在する、2014年設立・社会保険被保険者数34名の製造業（半導体・電子部品）企業。
法人向け（製造業）
2026年3月時点
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
ＪＳＷアフティ株式会社は、ナノエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、メカトロニクスといった先端技術を応用した各種装置の設計、製造、販売、検査、据付、修理、点検、保守部品供給、中古装置の斡旋およびこれに付帯する業務を一貫して手掛ける企業です。同社の主要事業は、ECRプラズマ成膜装置と原子層堆積装置（ALD装置）の開発・提供にあります。ECRプラズマ成膜装置は、低温・低ダメージで緻密、平滑、高品質な薄膜を形成できる先進テクノロジーであり、特に青紫色・赤色・赤外などの高出力半導体レーザーの製造工程（端面コート）や、ハードディスクのGMRヘッド、SAWデバイスなどの製造に不可欠な装置として、電子部品生産の幅広い分野で活用されています。AFTEX-6000、AFTEX-8000、AFTEX-9000シリーズは製造向け多層成膜用装置として、複数の材料の多層膜を低温・低ダメージで形成し、高屈折率制御や高速反応性成膜を実現します。AFTEX-2300は実験・開発向けに基本機能を備え、研究開発ニーズに応えます。一方、原子層堆積装置「AFALD-8」は、優れたステップカバレッジと原子レベルでの膜厚制御性を特長とし、高アスペクト比や複雑な三次元構造への高緻密・高品質な薄膜成膜を可能にします。ミリ秒単位で制御されたプラズマ援用により反応性を高め、研究開発から本格量産まで対応できる柔軟な構成を提供します。同社は、NTTグループ時代に培ったECRプラズマ成膜技術を基盤とし、三井造船グループを経て日本製鋼所グループの一員として、開発から製造販売、アフターサービスまでの一貫体制を強化し、顧客の価値創造に貢献しています。環境に配慮した排ガス処理不要の成膜技術も強みの一つです。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
純利益
3.4億円
総資産
24億円
社会保険被保険者数
34人 · 2026年9月
34期分（2023/12〜2026/09）
被保険者数 前年同月比
-5.6% · 2026年9月
前年同月 36人（2025年9月）→ 34人（-2人）
ROE単体
17.83% · 2026年3月
11期分（2016/03〜2026/03）
ROA単体
14.23% · 2026年3月
11期分（2016/03〜2026/03）
自己資本比率単体
79.81% · 2026年3月
11期分（2016/03〜2026/03）
このデータをAIで活用
Claude / ChatGPT / Cursor などの MCP 対応クライアントから、ＪＳＷアフティ株式会社の決算・登記履歴・役員・関係企業・知財・公共調達などの構造化データを直接取得できます。無料 20 クレジット/月で利用可能、9 種類のツールを提供。
接続方法を見る解放した会社と並べて比較できます
同地域・同業種で選定
同業種の企業を読み込み中
純利益
3.4億円
総資産
24億円
所在地を問わず同業種で選定
ザインエレクトロニクス株式会社上場
株式会社フェローテック上場
レーザーテック株式会社上場
日本電子材料株式会社上場
トレックス・セミコンダクター株式会社上場
アプライドマテリアルズジャパン株式会社
マイポックス株式会社上場
株式会社ニックス上場
ＪＳＷアフティ株式会社は特許7件・意匠2件を保有しています。特許は表面技術・コーティングなどの分野が中心です。
特許
7件
審査中・消滅含む 15件
意匠
2件
登録・現存
7件
審査中
3件
うち審査請求なし 2件
満了
0件
消滅
1件
拒絶・取下げ
4件
ターゲットおよび成膜装置登録2024・請求項8項
シールド部材上に堆積物が形成された場合でもスパッタリングを安定させる。
プラズマ成膜方法登録2023・請求項4項
プラズマ成膜処理において大口径の基板に対して膜厚分布の均一化を図る。
データ基準日: 2026年8月6日確認分
ターゲットおよび成膜装置並びに成膜対象物の製造方法登録2023・請求項15項
ターゲット部材の長寿命化を図る。
薄膜形成装置登録2017・請求項9項
膜厚及び膜質の均一な薄膜を形成することができる薄膜形成装置
ＺｎＯ膜形成方法及びＺｎＯ膜形成装置登録2016・請求項5項
簡単なプロセスで、優れた特性のＺｎＯ膜を形成することができるＺｎＯ膜形成方法及びＺｎＯ膜形成装置
