法人向け(製造業・医療・ヘルスケア・教育・研修)
株式会社ANSeeNは、静岡大学発のベンチャー企業として2011年4月に設立され、「見えない不安を見える安心に」をミッションに掲げ、最先端のセンシング技術を駆使して放射線、ガンマ線、中性子線の可視化を実現しています。同社の主要事業は、X線検出器の設計開発・製造販売、フォトンカウンティングLSIの設計開発、計測システム・ソフトウェアの開発、および放射線計測機器(プリアンプ、MCA、波形分析装置)の試作・販売です。 同社の核となる技術は、放射線を効率的に検知する化合物半導体センサであるCdTe(テルル化カドミウム)の性能を最大限に引き出す製造プロセス技術、放射線の光子を一つずつ検知可能なフォトンカウンティング回路、そして大面積化を可能にする高精度タイリング技術の三つです。これらの技術を組み合わせることで、革新的な放射線センシングデバイスを提供しています。 製品ラインナップには、産業用非破壊検査や医療用イメージング、セキュリティ検査に利用される「X線フラットパネルディテクタ」、インライン非破壊検査やインフラ検査、産業向けコンピュータ断層撮影(CT)に特化した「高エネルギーX線ラインセンサ」があります。また、研究室やテスト環境に最適な「卓上型X線照射装置 SBX001 シリーズ」は、最大100W、80kVのX線管を搭載し、コンパクトながら高品質なX線照射を実現し、放射線センサ研究開発、電子部品検査、教育機関、小型部品製造業の品質管理などで活用されています。 さらに、放射線信号用の「波形解析装置」は、汎用MCA、BNCT(ホウ素中性子捕捉療法)用、延長用MCAといった多様なモデルを提供し、波高値や立上り/ディケイ時間の分析、中性子-ガンマ線の弁別、データロガー機能などを備えています。高計数率対応のヒストグラム計測モードやイベント計測モード、入力波形をPCから観察できるオシロスコープモード、信号チャネルごとに独立した高電圧バイアス電源、ネットワーク対応など、高度な解析と柔軟な運用を可能にします。その他、USB駆動のポケットMCA、各種プリアンプ、バイアス電源、コネクタ変換ボックスなどの周辺機器や特殊用途開発品も手掛けています。 同社の強みは、CdTe検出器におけるレーザードーピングによるpn接合形成技術、フォトンカウンティングによる100倍以上の高感度とX線波長情報(スペクトル)の同時測定、そして3D LSI技術を活用した大面積タイリングによる多様な形状・サイズへの対応力です。これらの技術により、従来のX線検査では困難だった厚みのある金属製品の撮像や、高コントラスト・高ダイナミックレンジの画像取得、X線カラーイメージングを実現し、顧客の幅広いニーズに応えています。同社はISO9001およびISO13485の認証を取得しており、品質管理体制も確立しています。研究機関、検査装置メーカー、医療機関、電子部品製造業、教育機関など、多岐にわたる顧客層に対し、革新的なソリューションを提供し、社会の安心に貢献しています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
次世代X線カメラ
純利益
-1.7億円
総資産
2.2億円
従業員数(被保険者)
15人 · 2026年6月
31期分(2023/12〜2026/06)
ROE単体
—% · 2025年3月
5期分(2019/03〜2025/03)
ROA単体
-78.16% · 2025年3月
5期分(2019/03〜2025/03)
自己資本比率単体
-65.09% · 2025年3月
5期分(2019/03〜2025/03)
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株式会社Anb
ザインエレクトロニクス株式会社上場
株式会社フェローテック上場
レーザーテック株式会社上場
日本電子材料株式会社上場
トレックス・セミコンダクター株式会社上場
アプライドマテリアルズジャパン株式会社
マイポックス株式会社上場
株式会社ニックス上場
株式会社ANSeeNは特許15件・商標1件を保有しています。商標は電子機器・ソフトウェア(第9類)、特許は環境技術などの分野が中心です。
特許
15件
登録 15
商標
1件
登録 1
株式会社Anbは、半導体製造装置に特化したフィールドエンジニアリングサービスを提供する専門企業です。主要事業として、半導体製造装置の新規立ち上げ、修理、メンテナ…

半導体戦争 世界最重要テクノロジーをめぐる国家間の攻防
クリス・ミラー
半導体の地政学と産業史を網羅したベストセラー
※登録商標の指定商品・役務の区分です。企業の事業分野そのものではありません。
ANSeeN
電子機器・ソフトウェア・医療用機械器具 · 登録2021
コンピュータ断層撮像装置登録2023・請求項4項
X線センサの性能を十分に引き出す。
電荷検出回路及びそれを含む放射線検出装置登録2021・請求項3項
簡易な回路構成で時間的に変化する電荷信号の波高値を精度よく計測すること。
中性子半導体検出器登録2021・請求項3項
中性子の入射位置を特定可能としつつ、中性子の検出効率を向上させることができる中性子半導体検出器
放射線検出素子の製造方法登録2020・請求項5項
高分解能かつ高感度のイメージングを実現することが可能な放射線検出素子
放射線検出素子の製造方法、放射線検出素子、およびそれを含む放射線検出器登録2020・請求項3項
単純化された製造工程で容易にピクセル構造を形成することが可能な放射線検出素子の製造方法