法人向け(製造業)
株式会社フローディアは、2011年にルネサスエレクトロニクス出身の7名のエンジニアによって設立された、半導体メモリ技術を応用した電子知能の実現を目指す企業です。同社は、高品質で組み込みやすい不揮発性メモリIPの提供を主要事業としており、製造プロセスや回路設計を含む知的財産(IP)のライセンス供与を通じて、顧客企業の半導体製品開発を支援しています。特に、独自の高精度アナログメモリ技術を応用したAIビジネスにも注力し、半導体メモリを情報伝達媒体として脳機能を実現することで、高セキュリティかつ低消費電力の電子知能開発を通じてスマート社会の実現に貢献しています。 同社の製品ラインナップには、低コストSONOSフラッシュ「LEE Flash G1」、次世代フラッシュ「LEE Flash G2」、ゼロ追加マスクMTP「LEE Flash ZT」、ゼロ追加マスクアンチヒューズOTP「LEE Fuse ZA」があります。これらの製品は、SONOSメモリアーキテクチャとFowler Nordheim(FN)トンネリング技術を基盤とし、高い信頼性(電荷トラップ型による電荷保持メカニズム、安定したVt分布)、容易な製造プロセスへの組み込み、極めて低い消費電力、短いテスト時間といった強みを持っています。特に、LEE Flash G1はTSMC 130BCD+プラットフォームで認定され量産体制に入り、LEE Flash ZTは車載グレード0に対応し量産実績を重ねています。 同社は、20年以上の組み込みメモリ開発経験を持つベテランエンジニアチームを擁し、回路設計者だけでなく、製造プロセスや品質保証に関する深い知識を持つ専門家が一体となって、包括的なサービスを提供しています。AEC Q100 Grade 0基準への適合や、85件以上の特許出願・取得実績は、同社の技術力と品質へのコミットメントを示しています。スマートフォンIC、MCU、車載用途、IoT端末など、幅広い電子機器メーカーを顧客とし、半導体ファウンドリとの連携も強化しながら、グローバルに事業を展開しています。同社のビジネスモデルは、最先端の不揮発性メモリIPとAI技術をライセンス供与することで、顧客の製品競争力向上と市場投入期間短縮に貢献することにあります。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
純利益
-4.0億円
総資産
9.1億円
従業員数(被保険者)
45人 · 2026年6月
31期分(2023/12〜2026/06)
ROE単体
-86.53% · 2025年3月
10期分(2016/03〜2025/03)
ROA単体
-44.44% · 2025年3月
10期分(2016/03〜2025/03)
自己資本比率単体
51.35% · 2025年3月
10期分(2016/03〜2025/03)
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株式会社フローディアは特許45件・商標12件を保有しています。商標は電子機器・ソフトウェア(第9類)、特許は半導体などの分野が中心です。
特許
45件
登録 43
商標
12件
登録 12
ZH∞LEE MTP
電子機器・ソフトウェア · 登録2024
LEE MTP
電子機器・ソフトウェア · 登録2024
FLOadiA
電子機器・ソフトウェア・IT・研究開発・デザイン · 登録2018
G2
電子機器・ソフトウェア · 登録2015
G1
電子機器・ソフトウェア · 登録2015
ZA
電子機器・ソフトウェア · 登録2015
メモリセル登録2025・請求項11項
ゲート絶縁膜の膜厚を厚くした場合でも、フローティングゲートに電荷を確実に注入することができるメモリセル
半導体記憶装置登録2024・請求項3項
データ書き込み時のリーク電流を抑制することができる半導体記憶装置
不揮発性メモリセル及び不揮発性半導体記憶装置登録2024・請求項10項
集積化及び小型化を図ることができる不揮発性メモリセル及び不揮発性半導体記憶装置
積和演算装置登録2020・請求項10項
出力線に流れる電流の大きさを検出するプリチャージ方式であってもスニーク電流を十分に抑制することができる積和演算装置
不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法登録2020・請求項5項
従来よりも高速動作を実現し得る不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法を提案する。