千葉県船橋市に所在する、1995年設立・従業員（被保険者）5名の製造業（半導体・電子部品）企業。
- 所在地
- 〒273-0864 千葉県 船橋市 北本町１丁目１７番２５号ベンチャープラザ船橋２１５号室
- 法人番号
- 1040001034298
- 所在ビル
- ベンチャープラザ船橋(7 社)
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千葉県船橋市に所在する、1995年設立・従業員（被保険者）5名の製造業（半導体・電子部品）企業。
法人向け（製造業）
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合は お問い合わせください。
株式会社シー・ヴィ・リサーチは、半導体製造装置の開発、製造、販売を主軸に、半導体業界のお客様の多様なシーズ（種）を具現化する技術を提供しています。同社は、大口径ウェハーに対応したプラットフォームから、高密度で均一なプラズマ処理が可能な装置まで、幅広い半導体製造装置をラインナップしています。具体的には、φ12インチ（300mm）ウェハー対応のCVR-9300 Series、φ5～φ8インチウェハー対応のCVR-9000 Series、そしてφ6～φ12インチウェハーや152mm角マスクに対応し、ロードロックを持たないシンプルな構造で高いコストパフォーマンスを実現するCVR-3000 SR、さらにレジストアッシングからウェットRCA洗浄、裏面洗浄まで可能なDry & WetコンビネーションプラットフォームのCVR-3000 WDなどを提供しています。 同社は装置販売だけでなく、表面処理サービスと成膜サービスも展開しており、φ6～φ8インチウェハー（一部φ300mm対応、φ8インチSiトレイ使用によりチップ処理も可能）を対象に、酸化、窒化、Ashingといった表面処理や、TaO、AlO、SiO、SiNなどの膜種を1nmから1000nm程度の膜厚で成膜するサービスを提供しています。これらのサービスは、PE-MOCVDやPE-CVD、高密度プラズマ処理といった先進技術を駆使し、キャパシター膜、耐薬液性膜、ゲート膜、水素ブロック膜、絶縁層膜、水ブロック膜、ストレスライナーなど、多岐にわたる用途に対応しています。特に、成膜と酸化を繰り返し実施するLLD技術により、所望の膜質・膜厚を実現する強みを持っています。 同社の研究開発施設である森ケ崎事業所には、クラス100レベルのクリーンルームが整備されており、45nmノードレベルのデモが可能な環境で、P-SiO、P-SiN、TaO、Oxidation、Nitridation、ALO、Ashingといったプロセス開発を加速しています。これにより、半導体デバイスの微細化・高性能化に貢献し、顧客の「シーズ（種）」を具現化するソリューションを提供しています。過去には「ものづくり補助金」や「ひまわりベンチャー育成基金」の助成金採択実績もあり、技術開発力と事業性が評価されています。対象顧客は半導体製造に関わる企業や研究機関であり、最先端の装置とプロセス技術で、半導体産業の発展を支えるビジネスモデルを展開しています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
純利益
66万円
総資産
3.2億円
従業員数（被保険者）
5人 · 2026年7月
31期分（2023/12〜2026/07）
ROE単体
0.47% · 2017年12月
1期分（2017/12〜2017/12）
ROA単体
0.2% · 2017年12月
1期分（2017/12〜2017/12）
自己資本比率単体
43.29% · 2017年12月
1期分（2017/12〜2017/12）
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株式会社シー・ヴィ・リサーチは特許15件を保有しています。特許は半導体などの分野が中心です。
特許
15件
登録 9
登録・現存
5件
審査中
0件
満了
0件
消滅
4件
拒絶・取下げ
6件
原子層堆積装置及び原子層堆積方法登録2024・請求項15項
ＡＬＤによる成膜を行うに際して、高品質の薄膜が得られる原子層堆積装置及び原子層堆積方法
成膜装置、成膜方法及びガスノズル登録2023・請求項12項
本発明は、ＡＬＤ、エピタキシャル成長、ＣＶＤによる成膜を行うに際して、均一性に優れ、処理速度が大きく、面積生産性が高い成膜装置及び成膜方法
データ基準日: 2026年7月29日確認分
産業分野: 電気工学（15）・化学（11）・計測機器（1）
成膜装置、成膜方法及びガスノズル登録2023・請求項11項
本発明は、ＡＬＤ、エピタキシャル成長、ＣＶＤによる成膜を行うに際して、均一性に優れ、処理速度が大きく、面積生産性が高い成膜装置及び成膜方法
成膜装置、成膜方法及びガスノズル登録2022・請求項13項
原子層堆積（ＡＬＤ）、エピタキシャル成長、化学気相成長（ＣＶＤ）による成膜を行うに際して、均一性に優れ、処理速度が大きく、面積生産性が高い成膜装置及び成膜方法
紫外線照射装置登録2013・請求項3項
プロセスガスの供給しつつワークに対して紫外線を照射する際に、ワークを回転させる回転機構等の複雑な構成を備える必要をなくし、かつ、ワークの全面に対して均質な処理を行うことが可能な紫外線照射装置用フランジ部材および紫外線照射装置
