法人向け（製造業）
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合は お問い合わせください。
グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社は、半導体デバイスの基盤となる高性能かつ高品質なシリコンウェーハの研究開発、製造、販売を主要事業としています。同社は、1977年に株式会社東芝からシリコンウェーハ事業を移管された東芝セラミックス株式会社を源流とし、2013年に台湾のSino-American Silicon Products Inc.傘下のグローバルウェーハズグループに加わったことで現在の体制となりました。製品ラインアップは多岐にわたり、大口径・小口径シリコン単結晶、ECAS®ウェーハ、アニールウェーハ、ポリッシュトウェーハ、エピタキシャルウェーハ、拡散ウェーハ、厚膜SOIウェーハなどを提供しています。これらの製品は、IT技術や省エネルギー技術の進化に不可欠な先端半導体の高集積化、高速化、低消費電力化を支える重要な材料として、国内外の半導体デバイスメーカーに供給されています。 同社の強みは、東芝セラミックスおよびMonsanto Electronic Material Company時代から長年にわたり培ってきたプロフェッショナリズムとチームワークに、常に最先端のテクノロジーを融合させることで、たゆまない技術革新と品質向上を追求している点にあります。お客様のニーズに応えるため、卓越した製品とサービスを提供し、課題解決に貢献することを経営方針として掲げています。また、品質マネジメントシステム（ISO 9001, IATF 16949）、環境マネジメントシステム（ISO 14001）、労働安全衛生マネジメントシステム（ISO 45001）、エネルギーマネジメントシステム（ISO 50001）の認証を全生産拠点で取得しており、徹底した品質管理と持続可能な企業活動を推進しています。 さらに、同社はCSR活動にも注力し、環境負荷の低減、エネルギー効率の向上、資源・エネルギーの有効活用、循環型社会構築への貢献を目指しています。サプライチェーン全体での社会的責任を果たすため、Responsible Business Alliance行動規範に賛同し、取引先にもその遵守を求めています。デジタルツインによるプロセス全体最適化で半導体CISノイズ70％低減といった共同研究成果も発表しており、技術革新への積極的な姿勢を示しています。グローバルプレイヤーとしての地位を確固たるものにするため、技術、戦略、マネジメントの不断の革新を通じて永続的な成長を目指しています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
売上高
551億円
純利益
45億円
総資産
1,074億円
従業員数（被保険者）
1,249人 · 2026年8月
33期分（2023/12〜2026/08）
ROE単体
5.01% · 2025年12月
4期分（2022/12〜2025/12）
ROA単体
4.17% · 2025年12月
4期分（2022/12〜2025/12）
自己資本比率単体
83.14% · 2025年12月
4期分（2022/12〜2025/12）
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日本電子材料株式会社上場
グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社は特許131件・商標3件・意匠1件を保有しています。商標は工業・農業用化学品（第1類）、特許は半導体などの分野が中心です。
特許
131件
審査中・消滅含む 218件
商標
3件
意匠
1件
登録・現存
131件
審査中
33件
うち審査請求なし 22件
満了
0件
消滅
0件
拒絶・取下げ
54件
※各区分の現存登録・審査中・消滅の件数です。企業の事業分野そのものではありません。
ＧＷ∞ＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
工業・農業用化学品・電子機器・ソフトウェア・物品加工・処理・印刷 · 登録2017
ＧＷＪ∞Ｇｌｏｂａｌ Ｗａｆｅｒｓ Ｊａｐａｎ
工業・農業用化学品・電子機器・ソフトウェア · 登録2013
ＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ Ｊａｐａｎ
工業・農業用化学品・電子機器・ソフトウェア・物品加工・処理・印刷 · 登録2012
シリコン単結晶の製造方法登録2026・請求項4項
シリコン単結晶の育成時における製品歩留まり向上の指針を得ること。
シリコンウェーハの製造方法登録2026・請求項6項
ウェーハの表層部及びバルク部においてもボイドやＢＭＤ等の欠陥を低減させること。
データ基準日: 2026年8月6日確認分
産業分野: 電気工学（現存93）・化学（現存83）・機械工学（現存14）・計測機器（現存9）
シリコン単結晶の製造方法登録2026・請求項4項
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶をシリコン溶融液から引き上げる際、ｖ／Ｇの値を一定に維持して周期的な結晶径変動が生じても、直径変化量を一定の範囲内に制御することで、結晶全長に亘り欠陥密度が小さく、無欠陥領域率の高いシリコン単結晶を育成する。
シリコンウェーハ用サセプタの前処理方法およびシリコンウェーハの熱処理方法登録2026・請求項5項
ダミーランを十分な回数行ったことを判断すること。
シリコンウェーハの研磨方法登録2026・請求項6項
シリコンウェーハ表面の取り代を十分に確保しつつ、研磨後のシリコンウェーハにおいて、表面や端面の微小欠陥およびＤＩＣ欠陥を低減することができるシリコンウェーハの研磨方法
