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法人向け（製造業）
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合は お問い合わせください。
キオクシアシステムズ株式会社は、世界をリードするNAND型フラッシュメモリ技術を専門とするエンジニアリング企業です。親会社であるキオクシア株式会社の重要な開発パートナーとして、市場が求めるメモリの設計から評価、解析、量産立ち上げまでを一貫して担っています。同社は、常に進化し続ける先端NANDメモリ技術をいち早く開発し、高性能・高品質・高密度なNAND製品を提供することで、お客様の未来システム実現に貢献しています。 主要な事業領域は多岐にわたります。まず「メモリシステム評価技術」では、最先端メモリ製品の評価・テスト開発を行い、各種機能評価、特性評価、信頼性評価、出荷テスト開発、そしてUSBメモリ、SDカード、PCIe/UFS製品などのメモリシステム評価、さらには評価装置やデータ分析用データベースシステムの開発までを手掛け、高品質な製品を世に送り出しています。 次に「メモリ設計技術」では、携帯電話、デジタルカメラ、SSD、自動車、医療機器など、あらゆるアプリケーションに使用されるメモリ製品の高機能・高性能設計・開発を担い、アナログ回路設計、論理回路設計、レイアウト設計、EDAツール開発、TEG設計など、フロントエンドからバックエンドまで幅広い設計業務をスピーディに実現しています。 「メモリコントローラ開発」では、フラッシュメモリの微細化と大容量化が進む中で、その重要性が増すメモリコントローラを開発。不良ブロック管理、強固なエラー訂正、論理-物理アドレス変換、書き換え回数の平均化、高速アクセス手法など、最先端技術を駆使してフラッシュメモリの性能と信頼性を最大限に引き出す付加価値の高いコントローラを提供しています。 「リソグラフィ技術開発」では、半導体微細化の進展に対応するため、コンピューテショナル・リソグラフィ技術で最先端の半導体製品開発を支えています。OPC（光近接効果補正）等の超解像技術を大規模コンピューター環境で具現化し、フォトマスクデータ生成ソリューションを提供することで、世界最高レベルのTATと高品質化を追求しています。 「解析技術」では、最先端メモリ製品の製造工程や顧客先で発生した不良品の解析を行い、不良原因を解明して設計・製造プロセスへ早期にフィードバックすることで、製品の品質向上に貢献しています。電気特性解析、不良箇所の特定、形状観察・物理解析など、多角的なアプローチで問題解決を図ります。 さらに「SSD技術」では、経験豊富なモノづくり技術力と品質力を駆使し、ソリッド・ステート・ドライブの生産性向上と品質維持を支えています。SSD信頼性評価・検証、製造拠点サポート、実装技術、マイクロソルダリング技術、歩留まり向上・信頼性向上に向けた解析技術開発など、最先端の製造技術革新に挑戦しています。 同社の強みは、NAND型フラッシュメモリ／BiCS FLASH™、コントローラLSI、ファームウェアといった主要構成要素の開発を網羅するメモリ開発を支える設計・評価・解析・製造技術力にあります。スマートフォン、SDメモリカード、USBメモリ、SSDなど多様な用途に最適なアーキテクチャを提案し、次世代フラッシュメモリ技術の迅速な製品導入と独自技術を提供しています。また、個々人の発想や技術力に加え、部署やチームの垣根を越えた協力体制と組織力が、世界トップランナーであるキオクシアを支える開発力と技術力の源泉となっています。同社は、IoT、AI技術の進展により爆発的に増加するデータを「記憶」と捉え、その可能性を追求し、未来の社会を支えるキーデバイスとしての半導体メモリの進化に貢献し続けています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
純利益
9.5億円
総資産
49億円
従業員数（被保険者）
582人 · 2026年7月
32期分（2023/12〜2026/07）
ROE単体
76.4% · 2025年3月
10期分（2016/03〜2025/03）
ROA単体
19.53% · 2025年3月
10期分（2016/03〜2025/03）
自己資本比率単体
25.56% · 2025年3月
10期分（2016/03〜2025/03）
このデータをAIで活用
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キオクシアシステムズ株式会社は特許310件を保有しています。特許はコンピュータ技術などの分野が中心です。
特許
310件
登録 65
産業分野: 電気工学（306）・計測機器（34）
半導体装置およびそれに用いる複合リードフレーム登録2013・請求項4項
リードフレームを有し、複数の半導体素子を積層してなる半導体装置において、その積層密度を向上させるとともに、積層密度の向上に伴って相異なる特性及び機能を有する半導体素子の積層数を増大させ、機能性を向上させた半導体装置
半導体装置の製造方法登録2013・請求項5項
半導体装置を製造する際、側壁加工プロセスで形成される不要な配線を介したショートの発生を防ぎ、マイクロローディング効果やディッシング現象の発生を防ぐ。
不揮発性半導体記憶装置登録2013・請求項5項
不揮発性半導体記憶装置の誤り訂正能力を高める。
半導体記憶装置登録2012・請求項5項
多値メモリセルの利便性及び性能を向上させる。
半導体装置登録2012・請求項4項
高電圧転送時におけるトランジスタの閾値電圧を低減する。
