神奈川県横浜市栄区に所在する、1976年設立・社会保険被保険者数1,113名の製造業（半導体・電子部品）企業。
- 所在地
- 〒244-0845 神奈川県 横浜市栄区 金井町１番地
- 法人番号
- 3020001061697
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神奈川県横浜市栄区に所在する、1976年設立・社会保険被保険者数1,113名の製造業（半導体・電子部品）企業。
法人向け（IT・ソフトウェア・製造業）
2026年3月時点
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
住友電工デバイス・イノベーション株式会社は、最先端の電子デバイスおよび光デバイスの研究開発、製造、販売を手掛ける企業です。同社の主要事業は、次世代の情報通信インフラを支える高機能半導体製品の提供にあります。電子デバイス分野では、GaN（窒化ガリウム）HEMT製品を主力とし、無線リンク、衛星通信、携帯電話基地局、レーダーシステム、および汎用アプリケーション向けに幅広いラインナップを展開しています。特に、5G m-MIMOアプリケーションに最適なDoherty Amplifier用デュアルパスGaN HEMTや、C/Xバンド、L/Sバンド、船舶用レーダー向けのSGCシリーズ、SGNシリーズといった高出力・高効率な製品を提供し、無線通信の高性能化に貢献しています。製品開発においては、高周波シミュレータを用いた設計・解析、試作品の高周波特性・信頼性評価、高周波パッケージ開発、半導体ウェハプロセス開発など、多岐にわたる技術を駆使しています。一方、光デバイス分野では、高速EML、高出力EML、DWDM EML、CWレーザー、フルバンド波長可変レーザーなどを手掛けています。高速EMLは100Gb/sおよび200Gb/s/レーンに対応し、データセンター向けのDR/FR4アプリケーションに貢献。高出力EMLは50G-PON OLT向けに、DWDM EMLは10G/25G DWDMシステム向けに、それぞれ高信頼性と高性能を提供しています。また、外部変調器の光源として利用される70mWのCWレーザーや、Cバンド・Lバンドに対応する高出力・狭線幅のフルバンド波長可変レーザーは、光ファイバ通信の多様なニーズに応えています。同社は、化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術、ウェハプロセス技術、高周波回路設計技術、半導体レーザ設計・評価技術など、多岐にわたる専門技術を強みとしています。これらの技術を駆使し、お客様の要求や市場の期待に応える魅力ある製品をいち早く開発し、品質第一をモットーに製品設計・製造の仕組みを継続的に改善しています。グローバルな事業拠点を持ち、世界中の情報通信を支える製品とサービスを提供することで、社会の発展に貢献しています。
2026年4月30日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
売上高
759億円
純利益
129億円
総資産
765億円
社会保険被保険者数
1,115人 · 2026年9月
34期分（2023/12〜2026/09）
ROE単体
25.77% · 2026年3月
11期分（2016/03〜2026/03）
ROA単体
16.9% · 2026年3月
11期分（2016/03〜2026/03）
自己資本比率単体
65.57% · 2026年3月
11期分（2016/03〜2026/03）
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接続方法を見る同地域・同業種で選定
同業種の企業を読み込み中
売上高
759億円
純利益
129億円
総資産
765億円
所在地を問わず同業種で選定
ザインエレクトロニクス株式会社上場
株式会社フェローテック上場
レーザーテック株式会社上場
日本電子材料株式会社上場
トレックス・セミコンダクター株式会社上場
アプライドマテリアルズジャパン株式会社
マイポックス株式会社上場
株式会社ニックス上場
住友電工デバイス・イノベーション株式会社は特許369件・実用新案1件を保有しています。特許は半導体などの分野が中心です。
特許
369件
審査中・消滅含む 1,055件
商標
0件
審査中・消滅含む 5件
実用新案
1件
登録・現存
370件
審査中
58件
うち審査請求なし 21件
満了
1件
消滅
241件
拒絶・取下げ
386件
産業分野: 電気工学（現存265）・計測機器（現存128）・化学（現存12）・機械工学（現存5）
光半導体素子登録2026・請求項7項
出力を向上できる光半導体素子
半導体装置および半導体装置の製造方法登録2026・請求項5項
小型化できる半導体装置および半導体装置の製造方法
半導体装置および半導体装置の製造方法登録2026・請求項10項
小型化できる半導体装置および半導体装置の製造方法
半導体装置および半導体装置の製造方法登録2026・請求項10項
材料コストを低減しても放熱性の低下を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法
半導体装置登録2026・請求項6項
下部電極と上部電極との間の耐圧の安定性を向上できる半導体装置
データ基準日: 2026年9月3日確認分
