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法人向け(製造業)
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合は お問い合わせください。
イサハヤ電子株式会社は、1973年の創業以来、半導体および電子部品の開発、製造、販売を主軸とする企業です。同社は、パワー事業製品とデバイス事業製品の二つの主要事業を展開しており、アナログ技術とデジタル技術を融合させることで、産業界の多様なニーズに応える製品を提供しています。パワー事業では、カスタム電源、ゲートドライバ、DC/DCコンバータ、ハイブリッドICなどを手掛け、特にカスタム電源はAC/DCコンバータ、DC/DCコンバータ、インバータ、PFC、充電器、デジタル制御といった幅広いパワーマネジメント技術を駆使し、最大12kWの出力実績を持ちます。ゲートドライバは25年以上の経験に基づく技術で小容量から大容量まで対応し、DC/DCコンバータは絶縁・非絶縁、低電圧・高電圧入力に対応し、IGBTやIPM駆動用ゲート電源、高電圧ワイド入力タイプ制御電源が充実しており、産業機器や家電製品、太陽光発電、UPSなど幅広い用途に採用されています。また、システム電源開発研究所を稼働させ、技術革新を推進しています。 デバイス事業では、MFT(ミニカスタムIC)、アナログIC、トランジスタ・ダイオードを提供しています。MFTは、抵抗、トランジスタ、ICを一つのパッケージに集約することで、フルカスタムICと比較して開発期間を1/2以下、開発コストを1/10以下に削減できる点が特徴です。これにより、顧客の製品の小型化、コスト削減、品質向上、回路のブラックボックス化、部品調達リスクの軽減に貢献し、車載用途にも対応しています。アナログICは、漏電検出用、LEDドライバ、シャントレギュレータ、コンパレータ、オペアンプ、IGBTゲートプリドライバなど多岐にわたり、一般電子機器から車載用途まで幅広く利用されています。同社は、国内に複数の拠点を持つほか、香港、シンガポール、中国深圳、フィリピンに販売・生産拠点を展開し、グローバルな供給体制を構築しています。また、ISO9001、ISO14001、IATF16949といった国際品質マネジメントシステム認証を取得し、高品質で高信頼性の製品提供を強みとしています。
2026年5月6日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
純利益
-9,600万円
総資産
74億円
従業員数(被保険者)
182人 · 2026年7月
31期分(2023/12〜2026/07)
ROE単体
-4.95% · 2025年3月
5期分(2021/03〜2025/03)
ROA単体
-1.3% · 2025年3月
5期分(2021/03〜2025/03)
自己資本比率単体
26.28% · 2025年3月
5期分(2021/03〜2025/03)
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日本電子材料株式会社上場
イサハヤ電子株式会社は特許33件・商標16件・実用新案1件を保有しています。商標は電子機器・ソフトウェア(第9類)、特許は半導体などの分野が中心です。
特許
33件
登録 17
商標
16件
登録 11
実用新案
1件
登録 0
ISAHAYA ELECTRONICS
電子機器・ソフトウェア · 登録2020
MFT Lite
電子機器・ソフトウェア · 登録2020
iDC
電子機器・ソフトウェア · 登録2017
MFT
電子機器・ソフトウェア · 登録2015
GAU
電子機器・ソフトウェア · 登録2014
Dip-GAM
電子機器・ソフトウェア · 登録2014
マルチレベル出力ゲート駆動装置及びゲート電圧制御方法登録2022・請求項2項
IGBTをゲートターンオンする時に、ゲート電圧を早く上昇させ、コレクタ電圧がテールを引くのを抑制して、損失の発生を低減させる。
抵抗内蔵トランジスタ登録2020・請求項2項
抵抗内蔵トランジスタにおいて、1つの半導体チップに形成したトランジスタ、複数の抵抗、接続領域及び3つ以上の裏面接続電極等に対して、様々なパターンの配線を施すことができるようにすること及び1つの半導体チップに複数のトランジスタを形成するとともに、配線パターンをより簡略化できるようにすること。
産業分野: 電気工学(27)・機械工学(3)・化学(1)・計測機器(1)
複合トランスモジュール登録2019・請求項3項
トランスを組み込んだ複合トランスモジュールの回路全体をトランスファーモールドしつつコア材がモールド樹脂による応力の影響を受けないようにし、複合トランスモジュールの厚みを薄くすること及び一次モールドと二次モールドを組み重ねた後にそれらがずれないようにする。
半導体装置用接合材及びその製造方法登録2019・請求項9項
リードフレームや基板等と半導体チップとを大気圧下の比較的低い温度での焼結によって接合できるPbフリーの半導体用接合材及びその製造方法
半導体接合方法登録2018・請求項4項
耐熱性の高い接合層を形成するとともに、接合層の形成が大気圧下の比較的低い温度での焼結によって行え、量産化と低コスト化を可能とする半導体接合方法