法人向け(製造業)
ミネベアパワーデバイス株式会社は、半世紀以上にわたる市場実績と研究開発による先端技術を基盤に、パワー半導体製品の設計、製造、およびパッケージングを手掛ける半導体メーカーです。同社の製品は高い信頼性を有し、鉄道、自動車、家電といった幅広い分野で世界をリードする多くの顧客に採用されています。社会インフラの電化・電動化におけるキーデバイスとして、高耐圧・大電流・高信頼性を特徴とするパワー半導体を提供し、モジュール化技術を駆使して小型化と高性能化を両立した製品を多数生み出しています。 具体的には、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)やSiC(炭化ケイ素)製品、EV(電気自動車)向けSG-IGBT、高圧IC、オルタネータ用ダイオードなど、多岐にわたるパワー半導体を有しています。特に高耐圧SiCや高耐圧IGBTにおいては、豊富な技術開発力を背景に優位性の高い技術・製品を確立しています。ミネベアミツミ株式会社の連結子会社として、アナログ半導体事業の中核を担い、精力的な技術開発と事業拡大を推進しています。 また、同社は次世代パワー半導体技術の実用化と普及を目指す「びわこ半導体構想」に参画しており、次世代半導体材料であるGeO2(二酸化ゲルマニウム)パワー半導体による省エネ・グリーン化に貢献しています。この構想において、GeO2ウェハーのサプライチェーン構築、GeO2パワー半導体の実用化・普及、および搭載製品の共同開発を目標とし、デバイス化に向けた基礎特性検証、信頼性評価、そして市場ニーズに即した要求仕様や品質基準の材料設計へのフィードバックを通じて、早期実用化に向けた指針策定を支援しています。
2026年5月20日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
純利益
29億円
総資産
340億円
従業員数(被保険者)
898人 · 2026年6月
31期分(2023/12〜2026/06)
ROE単体
17.45% · 2025年3月
10期分(2016/03〜2025/03)
ROA単体
8.49% · 2025年3月
10期分(2016/03〜2025/03)
自己資本比率単体
48.62% · 2025年3月
10期分(2016/03〜2025/03)
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