法人向け（製造業）
業種・対象顧客は公開情報をもとに AI が推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合は お問い合わせください。
ミネベアパワーデバイス株式会社は、半世紀以上にわたる市場実績と研究開発による先端技術を基盤に、パワー半導体製品の設計、製造、およびパッケージングを手掛ける半導体メーカーです。同社の製品は高い信頼性を有し、鉄道、自動車、家電といった幅広い分野で世界をリードする多くの顧客に採用されています。社会インフラの電化・電動化におけるキーデバイスとして、高耐圧・大電流・高信頼性を特徴とするパワー半導体を提供し、モジュール化技術を駆使して小型化と高性能化を両立した製品を多数生み出しています。 具体的には、IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）やSiC（炭化ケイ素）製品、EV（電気自動車）向けSG-IGBT、高圧IC、オルタネータ用ダイオードなど、多岐にわたるパワー半導体を有しています。特に高耐圧SiCや高耐圧IGBTにおいては、豊富な技術開発力を背景に優位性の高い技術・製品を確立しています。ミネベアミツミ株式会社の連結子会社として、アナログ半導体事業の中核を担い、精力的な技術開発と事業拡大を推進しています。 また、同社は次世代パワー半導体技術の実用化と普及を目指す「びわこ半導体構想」に参画しており、次世代半導体材料であるGeO2（二酸化ゲルマニウム）パワー半導体による省エネ・グリーン化に貢献しています。この構想において、GeO2ウェハーのサプライチェーン構築、GeO2パワー半導体の実用化・普及、および搭載製品の共同開発を目標とし、デバイス化に向けた基礎特性検証、信頼性評価、そして市場ニーズに即した要求仕様や品質基準の材料設計へのフィードバックを通じて、早期実用化に向けた指針策定を支援しています。
2026年5月20日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
純利益
31億円
総資産
347億円
従業員数（被保険者）
899人 · 2026年7月
32期分（2023/12〜2026/07）
ROE単体
15.74% · 2026年3月
11期分（2016/03〜2026/03）
ROA単体
8.88% · 2026年3月
11期分（2016/03〜2026/03）
自己資本比率単体
56.4% · 2026年3月
11期分（2016/03〜2026/03）
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日本電子材料株式会社上場
ミネベアパワーデバイス株式会社は特許213件・商標2件を保有しています。商標は電子機器・ソフトウェア（第9類）、特許は半導体などの分野が中心です。
特許
213件
審査中・消滅含む 670件
商標
2件
審査中・消滅含む 5件
実用新案
0件
審査中・消滅含む 1件
意匠
0件
審査中・消滅含む 1件
登録・現存
213件
審査中
146件
うち審査請求なし 80件
満了
0件
消滅
94件
拒絶・取下げ
218件
※各区分の現存登録・審査中・消滅の件数です。企業の事業分野そのものではありません。
ｉ－Ｓｉ
電子機器・ソフトウェア・乗物 · 登録2017
ＭＣＦＡＮ
電子機器・ソフトウェア・医療用機械器具 · 登録1998
パワー半導体モジュールおよび電力変換装置登録2026・請求項12項
絶縁基板のクラックを抑制可能なパワー半導体モジュール
半導体装置および電力変換装置登録2026・請求項7項
ＲＣ－ＩＧＢＴにおいて、ＩＧＢＴがオンする際のスナップバック現象と、ダイオード導通時のＩＧＢＴ領域からダイオード領域へのホール注入とを、簡易な構造で抑制できる半導体装置
データ基準日: 2026年8月6日確認分
産業分野: 電気工学（現存205）・計測機器（現存12）・機械工学（現存12）・化学（現存6）
半導体装置登録2026・請求項9項
焼結接合により半導体チップを基板に実装する半導体装置において、特定の治具を用いることなく、焼結接合材のはみ出しによる這い上がり部の脱落を防止可能な信頼性の高い半導体装置
半導体スイッチング素子のゲート駆動回路、電動機制御システムおよび半導体装置登録2026・請求項15項
半導体スイッチング素子の高破壊耐量化を実現することができる半導体スイッチング素子のゲート駆動回路
半導体装置およびそれを用いた電力変換装置登録2026・請求項9項
電界集中層７の形成によってアバランシェの発生する場所を制御しつつ、スイッチング素子本体の存在する領域にアバランシェによるキャリアが流れるのを抑制できる半導体装置
