茨城県日立市に所在する、社会保険被保険者数888名の製造業(半導体・電子部品)企業。
- 所在地
- 〒319-1221 茨城県 日立市 大みか町5丁目2番2号
- 法人番号
- 4050001023487
茨城県日立市に所在する、社会保険被保険者数888名の製造業(半導体・電子部品)企業。
法人向け(製造業・物流・運輸・エネルギー・環境)
業種・対象顧客は公開情報をもとに分類・推定したものです。持株会社など グループ経営の会社では、主要な事業会社の業種を表示します。実態と 異なる場合はお問い合わせください。
ミネベアパワーデバイス株式会社は、ミネベアミツミグループの半導体メーカーとして、パワー半導体の開発、設計、製造、販売を行う。同社の主要製品は、高耐圧IC、IGBT、SiCパワーデバイス、ダイオードであり、白物家電、産業機器、自動車、鉄道車両などの電力変換・モーター制御用途に供給する。半世紀以上の市場実績を背景に、高耐圧・大電流・低損失・高信頼性を重視したデバイス設計と、製造・パッケージング、モジュール化の技術を蓄積している。 民生機器向けには、ルームエアコン、ヒートポンプ、給湯器のファンモーターを駆動する600V・3.0Aの三相モータードライバIC「ECN30626」を展開する。6個のIGBT、フリーホイールダイオード、ゲートドライバ、過電流・不足電圧保護回路、ブートストラップコンデンサをワンチップに集積し、基板の省スペース化、外付け部品の削減、回路設計の簡素化に対応する点が特徴である。製品はDIP26、SOP26、SOP26Rの3パッケージで日本国内にて量産され、世界市場へ供給される。 研究開発では、高耐圧SiC、高耐圧IGBT、EV向けSG-IGBT、オルタネータ用ダイオードに加え、二酸化ゲルマニウムを用いた次世代パワー半導体の実用化にも取り組む。「びわこ半導体構想」では、デバイスの基礎特性検証、信頼性評価、市場ニーズに基づく要求仕様・品質基準の策定を担う。製品販売を軸に、家電メーカー、産業機器メーカー、自動車関連企業、鉄道事業者へ電化・電動化に必要な部品を供給できる技術開発力と量産体制を強みとする。
2026年8月31日 時点。この概要は AI を利用して公開情報から抽出しています。事実と異なる箇所がある場合は お問い合わせください。
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収録データなし: 公共調達・ニュース・ネガティブ情報
純利益
31億円
総資産
347億円
社会保険被保険者数
888人 · 2026年10月
35期分(2023/12〜2026/10)
被保険者数 前年同月比
+2.1% · 2026年10月
前年同月 870人(2025年10月)→ 888人(+18人)
ROE単体
15.74% · 2026年3月
11期分(2016/03〜2026/03)
ROA単体
8.88% · 2026年3月
11期分(2016/03〜2026/03)
自己資本比率単体
56.4% · 2026年3月
11期分(2016/03〜2026/03)
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社会保険被保険者数
888人 · 2026年10月
35期分(2023/12〜2026/10)
被保険者数 前年同月比
+2.1% · 2026年10月
前年同月 870人(2025年10月)→ 888人(+18人)
ROE単体
15.74% · 2026年3月
11期分(2016/03〜2026/03)
ROA単体
8.88% · 2026年3月
11期分(2016/03〜2026/03)
自己資本比率単体
56.4% · 2026年3月
11期分(2016/03〜2026/03)
所在地を問わず同業種で選定
純利益
31億円
総資産
347億円
ミネベアパワーデバイス株式会社は特許289件・商標5件を保有しています。商標は電子機器・ソフトウェア(第9類)、特許は半導体などの分野が中心です。
特許
289件
審査中・消滅含む 740件
商標
5件
審査中・消滅含む 7件
実用新案
0件
審査中・消滅含む 1件
意匠
0件
審査中・消滅含む 1件
うち審査請求なし 73件
登録・現存
289件
審査中
132件
うち審査請求なし 73件
満了
1件
消滅
94件
データ基準日: 2026年10月15日確認分
拒絶・取下げ
225件
※各区分の現存登録・審査中・消滅の件数です。企業の事業分野そのものではありません。
産業分野: ・電気工学(現存263)・計測機器(現存13)・機械工学(現存13)・化学(現存9)
i-Si
電子機器・ソフトウェア・乗物 · 登録2017
MCFAN
医療用機械器具・電子機器・ソフトウェア · 登録1998
パワー半導体モジュールおよびそれを用いたモータ駆動システム登録2026・請求項8項
スナバコンデンサを備えたパワー半導体モジュールにおいて、高電流密度化とスナバコンデンサの加熱防止を両立可能なパワー半導体モジュール
過電流状態判定装置、過電流状態判定方法および電力変換システム登録2026・請求項5項
電力変換装置における過電流の発生原因を適切に推定できるようにする。
半導体装置登録2026・請求項3項
ゲート共通配線領域やゲートパッド領域の近傍のアクティブ領域におけるキャリア集中を抑制してターンオフ耐量を確保することができる半導体装置
半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法登録2026・請求項5項
半導体素子と緩衝板とを焼結金属層で接合した半導体モジュールにおいて、半導体素子と緩衝板との接合時(焼結金属層の焼結時)の接合材料に含まれる溶剤の排出性を向上し、焼結金属層の厚みのばらつきを抑制し、さらに半導体素子にかかる応力を緩和することが可能な半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法